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华南师范大学张凤春获国家专利权

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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种鲁棒性强的高Q值等离激元共振超表面器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117289374B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311291930.2,技术领域涉及:G02B5/00;该发明授权一种鲁棒性强的高Q值等离激元共振超表面器件是由张凤春;朱凝;陈心满;李述体设计研发完成,并于2023-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

一种鲁棒性强的高Q值等离激元共振超表面器件在说明书摘要公布了:本发明涉及一种鲁棒性强的高Q值等离激元共振超表面器件,该器件自下而上包括衬底层、周期性阵列排布与衬底上的“超分子”单元,和布置与衬底及“超分子”单元上的表面金属层;“超分子”单元包括两根相距一定间隔布置的立柱和布置于两根立柱之间的横杆;横杆的长度方向与立柱的布置方向相同,且长度与两根立柱之间的距离相等;两根立柱半径不同,呈现非对称配置;本发明的超表面器件相比调控单侧高度的超表面器件具有Q值更高且Q值对结构变化相对不敏感特征,能有效抑制器件加工时引入误差导致器件Q值急剧下降的缺点,极大地提升了器件的实用性。

本发明授权一种鲁棒性强的高Q值等离激元共振超表面器件在权利要求书中公布了:1.一种鲁棒性强的高Q值等离激元共振超表面器件,其特征在于,包括基底,周期性阵列排布于所述基底上的“超分子”单元,和布置于所述基底及所述“超分子”单元上的表面金属层,所述表面金属层为金层,所述金层的厚度为0.1微米; 所述“超分子”单元包括两根相距一定间隔布置的立柱和连接于两根所述立柱之间的横杆,两根所述立柱的高度一致;两根所述立柱的底面半径大小不同,呈现非对称配置;所述横杆的长度方向与所述立柱的布置方向相同;所述立柱为其横截面半径由其基底侧至其顶端侧逐渐收缩的类圆锥体,所述横杆的高度小于所述立柱的高度,所述横杆的纵截面为尺寸一致的半椭圆面,两根所述立柱的底面半径分别为R=0.25微米,r=0.15微米;所述立柱的高度H=1.6微米;所述横杆的底面宽度W=0.4微米,高度h=0.6微米,两根所述立柱的中心距为0.8微米,所述“超分子”单元周期大小选用1.6微米×1.6微米; 当正入射线偏振光偏振方向平行于所述基底且垂直于两根所述立柱中心线时,即电场E沿X方向偏振,反射谱出现高Q值完美吸收峰。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华南师范大学,其通讯地址为:510631 广东省广州市天河区中山大道西55号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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