江苏鑫华半导体科技股份有限公司韩秀娟获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏鑫华半导体科技股份有限公司申请的专利一种多晶硅棒破碎装置及其破碎方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116943830B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311072814.1，技术领域涉及：B02C19/06；该发明授权一种多晶硅棒破碎装置及其破碎方法是由韩秀娟;孙彬;吴锋;徐玲锋;闫家强设计研发完成，并于2023-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多晶硅棒破碎装置及其破碎方法在说明书摘要公布了：本发明涉及多晶硅生产技术领域，尤其涉及一种多晶硅棒破碎装置及其破碎方法，通过将多晶硅棒加热‑急冷处理，使硅棒获得晶间应力产生裂缝；再将产生裂缝的硅棒固定在固定座上，通过驱动机构将破碎装置套于硅棒上，借助外部供气组件使第一气囊和第二气囊充气后包围的硅棒区域即为待破碎的区域；气压脉冲设备运行，在极短的时间内向顶罩内鼓入高压洁净供气，形成气压脉冲，灌入硅棒裂缝中，将裂缝冲开，进而将硅棒破碎。本发明采用的破碎装置能够减少硅料与人的接触，进而避免硅料受到污染；且破碎过程不需借助机械破碎，减少了杂质离子的引入；利用高压脉冲冲击，灌入硅棒裂缝，将其冲开，同时将隐裂显现并冲开，节约人力。
本发明授权一种多晶硅棒破碎装置及其破碎方法在权利要求书中公布了：1.一种多晶硅棒破碎装置，其特征在于，包括设置在底座上的固定座、驱动机构和气压脉冲设备，所述驱动机构与破碎装置连接并能驱动所述破碎装置沿竖直方向移动，所述破碎装置位于所述固定座上方并与所述气压脉冲设备连接，所述固定座用于固定经过加热-急冷处理的硅棒； 在所述固定座上设置有防护罩，所述防护罩在其长度方向上可伸缩设置，所述破碎装置朝向所述固定座的一端开口设置，并与所述防护罩远离所述固定座的一端可拆卸连接； 所述破碎装置包括顶罩和设置在其内部的分域气囊，所述分域气囊包括分别靠近所述顶罩顶部和底部设置的第一气囊和第二气囊，所述第一气囊和所述第二气囊充气后包围的硅棒区域为待破碎的区域，所述顶罩包括壳体和盖体； 在所述第一气囊和所述第二气囊之间的所述顶罩上开设有充气孔，所述气压脉冲设备通过所述充气孔与所述顶罩内部相连通，所述第一气囊和所述第二气囊分别通过设置在所述顶罩上的进排气孔与所述顶罩外部连通。
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