西安交通大学王继平获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利硅镍合金低温反应熔渗制备C/C-SiC复合材料及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116970880B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310965914.0，技术领域涉及：C22C47/10；该发明授权硅镍合金低温反应熔渗制备C/C-SiC复合材料及方法是由王继平;陈祎明;薛蓉;苏鹏;秦千惠;蔡美霞;肖志超;夏鸿雁设计研发完成，并于2023-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅镍合金低温反应熔渗制备C/C-SiC复合材料及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅镍合金低温反应熔渗制备CC‑SiC复合材料及方法，将硅粉和镍粉通过机械搅拌和研磨充分均匀压制成型；将压制成型的块状物加热形成硅镍合金，将合金块破碎成合金颗粒；将多孔CC复合材料铺在硅镍合金颗粒上方，在真空、Ar或N2惰性气氛真空炉中，反应熔渗得到CC‑SiC复合材料。通过硅镍合金来解决纯硅反应熔渗工艺所制备的CC‑SiC复合材料强度较低，以及反应熔渗温度高、损伤纤维强度的局限性；本发明具有显著降低反应熔渗工艺温度、改善基体中SiC相分布均匀性和提高复合材料抗弯强度和断裂韧性等力学性能的优点。
本发明授权硅镍合金低温反应熔渗制备C/C-SiC复合材料及方法在权利要求书中公布了：1.一种硅镍合金低温反应熔渗制备CC-SiC复合材料的方法，其特征在于，包括： 按照质量比（32-49）:（51-68）将硅粉和镍粉通过机械搅拌和研磨充分均匀； 将混合粉末在45-60MPa的压力下压制成型为样品块； 将压制成型的块状物放入真空炉中加热至1050-1400℃，保温30-60mmin，使样品块熔化反应形成硅镍合金，将合金块破碎成合金颗粒； 按照质量比为1：（1.5-3）将多孔CC复合材料铺在硅镍合金颗粒上方，在真空、Ar或N2惰性气氛真空炉中，反应熔渗真空度为20-50Pa，在温度为1150~1400℃，反应熔渗30-40min，反应熔渗升温速率不超过10℃min，降温速率不超过20℃min，降温后得到CC-SiC复合材料。
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