长鑫科技集团股份有限公司许向生获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119383950B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310896924.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的形成方法是由许向生;刘国全;韩武豪;吕晖设计研发完成，并于2023-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构的形成方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：形成有源层；在有源层的一侧形成包括第一掩膜层、第二掩膜层以及第三掩膜层的掩膜材料层；第一掩膜层包括多个间隔分布的掩膜结构；第二掩膜层位于第一掩膜层远离所述有源层的一侧，且填满各掩膜结构之间的间隙；第三掩膜层位于第二掩膜层的表面；在第三掩膜层内形成多个第一掩膜孔和多个第二掩膜；以具有第一掩膜孔和第二掩膜孔的第三掩膜层为掩膜对第二掩膜层及第一掩膜层进行蚀刻，以在第一掩膜层内形成目标掩膜图案。本公开通过以此方法形成的器件有源区内的局部关键尺寸均匀性较好，进而提升了器件的性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 形成有源层； 在所述有源层的一侧形成掩膜材料层，所述掩膜材料层包括依次设置的第一掩膜层、第二掩膜层以及第三掩膜层，所述第一掩膜层包括多个间隔分布的掩膜结构；所述第二掩膜层位于所述第一掩膜层远离所述有源层的一侧，且填满各所述掩膜结构之间的间隙；所述第三掩膜层位于所述第二掩膜层的表面； 在所述第三掩膜层内形成多个第一掩膜孔和多个第二掩膜孔，所述第一掩膜孔在所述第一掩膜层上的正投影与所述第二掩膜孔在所述第一掩膜层上的正投影均位于所述掩膜结构上，且正投影位于同一所述掩膜结构上的各所述第一掩膜孔与各所述第二掩膜孔在所述掩膜结构的延伸方向上交替分布； 以具有所述第一掩膜孔和所述第二掩膜孔的第三掩膜层为掩膜对所述第二掩膜层及所述第一掩膜层进行蚀刻，以在所述第一掩膜层内形成目标掩膜图案。
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