长鑫存储技术有限公司杨杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300342B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310813466.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由杨杰设计研发完成，并于2023-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供半导体结构及其制备方法，涉及半导体的领域。该半导体结构包括衬底和隔离结构，衬底包括多个间隔阵列排布的有源区，隔离结构位于衬底中，且位于相邻的有源区之间；隔离结构包括偶极子层和隔离层，偶极子层位于隔离层的底部，且位于隔离层和衬底之间；偶极子层的负电荷面朝向衬底，偶极子层的正电荷面朝向隔离层。本公开减小了半导体结构产生漏电现象的可能性，保证了存储器的存储性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括衬底和隔离结构，所述衬底包括多个间隔阵列排布的有源区，所述隔离结构位于所述衬底中，且位于相邻的所述有源区之间； 所述隔离结构包括偶极子层和隔离层，所述偶极子层位于所述隔离层的底部，且位于所述隔离层和所述衬底之间；所述偶极子层的负电荷面朝向所述衬底，所述偶极子层的正电荷面朝向所述隔离层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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