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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利3D存储器及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119233626B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310785250.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权3D存储器及其制造方法、电子设备是由田超;平延磊;周俊;王耐征;贾礼宾设计研发完成，并于2023-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本3D存储器及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种3D存储器及其制造方法、电子设备，3D存储器的制造方法包括：采用原子沉积工艺，在所述沟槽的内壁上形成阻挡层，至少部分所述阻挡层覆盖暴露的所述多个分支的侧壁；在所述阻挡层上形成绝缘介质薄膜，采用氧化工艺，使所述绝缘介质薄膜形成氧化绝缘介质层，以及使所述阻挡层氧化形成氧化阻挡层，所述氧化绝缘介质层与所述氧化阻挡层形成绝缘介质层；采用刻蚀工艺，去除所述多个分支远离所述位线一侧的所述绝缘介质层，形成沿着垂直于所述衬底方向延伸的第一凹槽；沉积填充所述第一凹槽的支撑材料薄膜；采用不同的图案化刻蚀工艺，分别刻蚀所述支撑材料薄膜和所述绝缘介质层，使位于所述多个分支远离所述位线一侧的支撑材料薄膜形成支撑结构；避免刻蚀支撑结构，保证支撑结构的强度。

本发明授权3D存储器及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种3D存储器的制造方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成依次交替设置的导电层和绝缘层； 进行图案化的蚀刻，形成多个垂直衬底的沟槽，使各层所述导电层分别形成相互堆叠依次循环分布的图案化结构，每层图案化结构包含位线以及与所述位线连接的多个分支，所述沟槽将所述多个分支的侧壁暴露； 采用原子沉积工艺，在所述沟槽的内壁上形成阻挡层，至少部分所述阻挡层覆盖暴露的所述多个分支的侧壁； 在所述阻挡层上形成绝缘介质薄膜，采用氧化工艺，使所述绝缘介质薄膜形成氧化绝缘介质层，以及使所述阻挡层氧化形成氧化阻挡层，所述氧化绝缘介质层与所述氧化阻挡层形成绝缘介质层； 采用刻蚀工艺，去除所述多个分支远离所述位线一侧的所述绝缘介质层，形成沿着垂直于所述衬底方向延伸的第一凹槽； 沉积填充所述第一凹槽的支撑材料薄膜； 采用不同的图案化刻蚀工艺，分别刻蚀所述支撑材料薄膜和所述绝缘介质层，使位于所述多个分支远离所述位线一侧的支撑材料薄膜形成支撑结构； 进行图案化的蚀刻，将所述多个分支远离所述位线的一端暴露，暴露的多个分支的所述一端形成多个第一电容电极，所述多个第一电容电极均与所述支撑结构连接； 在所述第一电容电极上依次形成电容介电层和第二电容电极。

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