长鑫存储技术有限公司郭帅获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构、存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277787B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310778337.4，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体结构、存储器及其制备方法是由郭帅设计研发完成，并于2023-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构、存储器及其制备方法，半导体结构包括第一导电结构、第二导电结构、第三导电结构、沟道层及隔离层，第一导电结构沿第一方向延伸；第二导电结构和第三导电结构沿第二方向延伸，第二导电结构和第三导电结构在第一方向上间隔交替排布；沟道层沿第一方向延伸，沟道层环绕第一导电结构；隔离层沿第二方向延伸，隔离层位于第二导电结构和第三导电结构之间，隔离层与沟道层接触连接；其中，沟道层具有多个在第二方向上延伸的凸出部，第二导电结构和第三导电结构分别与对应的凸出部接触连接；第二方向垂直于第一方向，该半导体结构可以降低半导体结构的整体高度，增加存储密度，提高产品良率。
本发明授权半导体结构、存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 沿第一方向延伸的第一导电结构； 沿第二方向延伸的第二导电结构和第三导电结构，所述第二导电结构和所述第三导电结构在所述第一方向上间隔交替排布； 沿所述第一方向延伸的沟道层，所述沟道层环绕所述第一导电结构； 沿所述第二方向延伸的隔离层，所述隔离层位于所述第二导电结构和所述第三导电结构之间，所述隔离层与所述沟道层接触连接； 其中，所述沟道层具有多个在所述第二方向上延伸的凸出部，所述第二导电结构和所述第三导电结构分别与对应的所述凸出部接触连接；所述第二方向垂直于所述第一方向。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励