长鑫存储技术有限公司侯闯明获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119053153B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310594066.7，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器是由侯闯明设计研发完成，并于2023-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器，其中，反熔丝结构包括：有源区、以及位于有源区表面的第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构和第四栅极结构；其中，第二栅极结构的形状为开口朝向第一栅极结构的弧形，第三栅极结构的形状为开口朝向第四栅极结构的弧形。
本发明授权反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝结构，其特征在于，包括： 衬底，包括沿第一方向延伸的有源区以及形成于所述有源区中、且依次间隔排布的第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区； 第一栅极结构，位于所述第一掺杂区远离所述第二掺杂区的一侧的所述有源区的表面； 第二栅极结构，位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的所述有源区的表面； 第三栅极结构，位于所述第二掺杂区与所述第三掺杂区之间的所述有源区的表面； 第四栅极结构，位于所述第三掺杂区远离所述第二掺杂区的一侧的所述有源区的表面； 其中，所述第二栅极结构的形状为开口朝向所述第一栅极结构的弧形，所述第三栅极结构的形状为开口朝向所述第四栅极结构的弧形； 所述第一方向为所述衬底所在平面内任意一个方向。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励