长鑫存储技术有限公司朱玲获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利数据传输电路及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119007790B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310553582.5，技术领域涉及：G11C29/02；该发明授权数据传输电路及存储器是由朱玲;纪一凡设计研发完成，并于2023-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本数据传输电路及存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种数据传输电路及存储器，数据传输电路包括校准电路和输出电路，校准电路连接输出电路并用于调节输出电路的阻抗；校准电路包括：校准控制电路，用于生成并输出校准码；校准单元，包括多组串联的第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管的栅极连接校准控制电路，并用于接收校准码；校准控制电路还用于通过校准码控制多个第一晶体管的导通或截止，以将校准单元的电阻值调整为标准电阻值；第一晶体管导通时栅极上的第一工作电压小于第二晶体管导通时栅极上的第二工作电压。
本发明授权数据传输电路及存储器在权利要求书中公布了：1.一种数据传输电路，其特征在于，包括校准电路和输出电路，所述校准电路连接所述输出电路；所述校准电路包括： 校准控制电路，用于生成并输出校准码； 校准单元，包括多组串联的第一晶体管和第二晶体管； 所述第一晶体管的栅极连接所述校准控制电路，并用于接收所述校准码；所述校准控制电路还用于通过所述校准码控制多个所述第一晶体管的导通或截止，以将所述校准单元的电阻值调整为标准电阻值； 所述第一晶体管导通时栅极上的第一工作电压小于所述第二晶体管导通时栅极上的第二工作电压。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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