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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储芯片的测试方法、装置、设备、介质及程序产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118982997B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310532568.7，技术领域涉及：G11C29/14；该发明授权存储芯片的测试方法、装置、设备、介质及程序产品是由杨杰设计研发完成，并于2023-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储芯片的测试方法、装置、设备、介质及程序产品在说明书摘要公布了：本公开涉及一种存储芯片的测试方法、装置、设备、介质及程序产品，涉及存储芯片测试技术领域，测试方法包括：向目标位线对应的存储单元写入测试数据；向第一伪位线提供第一电压，并读取目标位线对应的存储单元中的测试数据，以确定目标位线对应的存储单元的第一失效数量；再次向目标位线对应的存储单元写入测试数据；向第一伪位线提供第二电压，并读取目标位线对应的存储单元中的测试数据，以确定目标位线对应的存储单元的第二失效数量，其中，第二电压不同于第一电压；根据第一失效数量和第二失效数量，直接判断出伪位线实际连接电位的有效性及其是否能够正常工作。

本发明授权存储芯片的测试方法、装置、设备、介质及程序产品在权利要求书中公布了：1.一种存储芯片的测试方法，其特征在于，所述存储芯片包括： 阵列排布的多个存储单元，其中，每个存储单元包括传输晶体管和与所述传输晶体管的第一端耦接的电容器； 多条字线，其中，每条字线与一行存储单元的传输晶体管的控制端耦接； 多条位线，其中，每条位线与一列存储单元的传输晶体管的第二端耦接； 第一伪位线，位于所述多条位线的一侧； 所述测试方法包括： 向目标位线对应的存储单元写入测试数据，其中，所述目标位线为所述多条位线中与所述第一伪位线相邻的位线； 向所述第一伪位线提供第一电压，并读取所述目标位线对应的存储单元中的所述测试数据，以确定所述目标位线对应的存储单元的第一失效数量； 再次向所述目标位线对应的存储单元写入所述测试数据； 向所述第一伪位线提供第二电压，并读取所述目标位线对应的存储单元中的所述测试数据，以确定所述目标位线对应的存储单元的第二失效数量，其中，所述第二电压不同于所述第一电压； 根据所述第一失效数量和所述第二失效数量，判断在向所述第一伪位线提供所述第一电压的过程中，所述第一伪位线是否被设置为所述第一电压，及在向所述第一伪位线提供所述第二电压的过程中，所述第一伪位线是否被设置为所述第二电压。

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