长鑫存储技术有限公司陈小龙获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118829190B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310371405.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的形成方法是由陈小龙;王春阳;吴双双;刘小平;付友;徐玉婷;王少伟设计研发完成，并于2023-04-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构的形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供掩模板，掩模板中包括沿第一方向间隔排布的多个掩模图形，掩模图形包括沿第二方向排布的多级台阶，第一方向与第二方向倾斜相交；形成掩模层于衬底的顶面上；放置掩模板于掩模层上方、并沿掩模图形刻蚀掩模层，于掩模层中形成第一刻蚀图案；翻转掩模板，调整掩模图形与掩模层之间的相对位置；沿翻转后的掩模板中的掩模图形刻蚀掩模层，于掩模层中形成第二刻蚀图案；沿第一刻蚀图案和第二刻蚀图案刻蚀衬底，于衬底内形成多个有源区。本公开减少了掩模板的数量，降低所述半导体结构的制造成本。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供掩模板，所述掩模板中包括沿第一方向间隔排布的多个掩模图形，所述掩模图形包括沿第二方向排布的多级台阶，所述第一方向与所述第二方向倾斜相交； 形成掩模层于衬底的顶面上； 放置所述掩模板于所述掩模层上方、并沿所述掩模图形刻蚀所述掩模层，于所述掩模层中形成第一刻蚀图案； 翻转所述掩模板，调整所述掩模图形与所述掩模层之间的相对位置； 沿翻转后的掩模板中的所述掩模图形刻蚀所述掩模层，于所述掩模层中形成第二刻蚀图案； 沿所述第一刻蚀图案和所述第二刻蚀图案刻蚀所述衬底，于所述衬底内形成多个有源区。
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