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龙图腾网获悉电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院申请的专利一种改善输出电容的功率MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116247102B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310317766.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种改善输出电容的功率MOSFET器件是由任敏;张淑萍;陶霖;王彤阳;李泽宏;张波;母国才设计研发完成，并于2023-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善输出电容的功率MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种改善输出电容的功率MOSFET器件，包括漏极金属、重掺杂第一导电类型半导体衬底、轻掺杂第二导电类型半导体外延层、轻掺杂第一导电类型半导体埋层、重掺杂第一导电类型半导体垂直沉片、栅极介质层、栅多晶硅电极、第二导电类型半导体体区、第一导电类型半导体漂移区、重掺杂第一导电类型半导体源区、重掺杂第二导电类型半导体欧姆接触区、绝缘介质层、源极金属；本发明所提供的一种改善输出电容的功率MOSFET器件结构通过在半导体体区下方引入埋层结构辅助耗尽外延层使得漏源之间PN结的耗尽区进一步展宽，进而减小漏源之间的结电容，从而改善器件输出电容。

本发明授权一种改善输出电容的功率MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种改善输出电容的功率MOSFET器件，其特征在于：包括漏极金属1，重掺杂第一导电类型半导体衬底2，轻掺杂第二导电类型半导体外延层3，轻掺杂第一导电类型半导体埋层4，重掺杂第一导电类型半导体垂直沉片5，栅极介质层6，栅多晶硅电极7，第二导电类型半导体体区8，第一导电类型半导体漂移区9，重掺杂第一导电类型半导体源区10，重掺杂第二导电类型半导体欧姆接触区12，绝缘介质层11，源极金属13； 所述重掺杂第一导电类型半导体衬底2位于漏极金属1上方，所述轻掺杂第二导电类型半导体外延层3位于重掺杂第一导电类型半导体衬底2上方，第二导电类型半导体体区8位于轻掺杂第二导电类型半导体外延层3内左上方，重掺杂第一导电类型半导体垂直沉片5位于轻掺杂第二导电类型半导体外延层3内右侧，所述轻掺杂第一导电类型半导体埋层4位于轻掺杂第二导电类型半导体外延层3内的第二导电类型半导体体区8正下方且与第二导电类型半导体体区8直接接触，其宽度大于第二导电类型半导体体区8；所述第一导电类型半导体漂移区9位于轻掺杂第二导电类型半导体外延层3内的上部，其两侧与重掺杂第一导电类型半导体垂直沉片5和第二导电类型半导体体区8直接接触；所述重掺杂第一导电类型半导体垂直沉片5伸入轻掺杂第二导电类型半导体外延层3内至重掺杂第一导电类型半导体衬底2，连通第一导电类型半导体漂移区9与重掺杂第一导电类型半导体衬底2；所述第二导电类型半导体体区8内部左上方具有重掺杂第一导电类型半导体源区10和重掺杂第二导电类型半导体欧姆接触区12；所述重掺杂第一导电类型半导体源区10左侧面与源极金属13相接触，所述重掺杂第二导电类型半导体欧姆接触区12上方与源极金属13相接触；第二导电类型半导体外延层3上表面覆盖绝缘介质层11，所述绝缘介质层11包围栅多晶硅电极7；所述栅多晶硅电极7与第二导电类型半导体体区8通过栅极介质层6隔离；所述源极金属13位于绝缘介质层11上表面且完全覆盖第一导电类型半导体漂移区9所在区域；所述源极金属13通过接触孔伸入半导体材料中，且其深度深于重掺杂第一导电类型半导体源区10。

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