湖南大学段曦东获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种二氧化钼非层状二维材料及其制备和在磁性器件中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116288248B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310061522.1，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权一种二氧化钼非层状二维材料及其制备和在磁性器件中的应用是由段曦东;张红梅设计研发完成，并于2023-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二氧化钼非层状二维材料及其制备和在磁性器件中的应用在说明书摘要公布了：本发明属于二维磁性材料领域，具体涉及一种MoO2非层状二维材料的制备方法，将MoO3粉末加热挥发，并和含氢载气中的氢气在基底表面化学沉积，形成MoO2非层状二维材料；所述的MoO3粉末的挥发温度大于或等于700℃；所述的基底的表面为二氧化硅或者TMDs；所述的化学沉积的温度为540～590℃。本发明还包括所述的制备方法制备的材料及其磁学方面的应用。本发明所述的制备方法能够成功制备MoO2非层状二维材料，且所述的制备方法制备的材料能意外地表现出线性磁阻行为，具有更优的磁学性能。
本发明授权一种二氧化钼非层状二维材料及其制备和在磁性器件中的应用在权利要求书中公布了：1.一种MoO2非层状二维材料的制备方法，其特征在于：将MoO3粉末加热挥发，并和含氢载气中的氢气在基底表面化学沉积，形成MoO2非层状二维材料； 所述的MoO3粉末的挥发温度大于或等于700℃； 所述的基底的表面为二氧化硅或者TMDs； 所述的化学沉积的温度为540~590℃； 实施所述制备方法的沉积装置包括密封的石英管，所述的石英管的一端设置用于向石英管腔室中输入含氢载气的入口，另一端设置有用于输出石英管腔室气体的出口；根据含氢载气气流方向，将所述的石英管的腔室分为上游高温恒温区和下游低温变温区；高温恒温区设置有加热装置，装有MoO3粉末的瓷舟放置在上游高温恒温区，将载有基底的瓷舟放置在下游低温变温区； 制备过程中，将MoO3粉末加热至挥发温度，使挥发的MoO3原料，并在含氢载气的作用下，与其中的氢气在基底的表面化学沉积，在基底上生长得到MoO2非层状二维材料。
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