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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种低功耗数据休眠可恢复的11T-SRAM单元电路、模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115995251B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211658343.8，技术领域涉及：G11C11/412；该发明授权一种低功耗数据休眠可恢复的11T-SRAM单元电路、模块是由蔺智挺;张秋明;柳云龙;吴秀龙;彭春雨;赵强;代月花;卢文娟;周永亮;戴成虎;郝礼才设计研发完成，并于2022-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗数据休眠可恢复的11T-SRAM单元电路、模块在说明书摘要公布了：本发明涉及静态随机存储器技术领域，更具体的，涉及一种低功耗数据休眠可恢复的11T‑SRAM单元电路，以及采用该种电路布局的模块。本发明的11T‑SRAM单元电路中N1、N2、P4、P5构成反馈支路，利用存储节点QB点的存储数据，通过N2或P4，使N1或P5关闭，使本单元电路进入休眠状态。本发明利用电路本身的存储数据“0”或“1”，通过反馈支路使N1或者P5处于关闭状态，从而切断单元电路和VDD或GND之间的连接，使电路进入休眠状态，降低了存储单元的静态功耗；并且休眠后的数据可通过信号的调整，使存储节点Q、QB的电平恢复到原来状态，不会造成功能性错误。

本发明授权一种低功耗数据休眠可恢复的11T-SRAM单元电路、模块在权利要求书中公布了：1.一种低功耗数据休眠可恢复的11T-SRAM单元电路，其特征在于，包括： NMOS晶体管N1，N1的漏极电连接电源VDD； NMOS晶体管N2，N2的漏极与N1的栅极电连接，N2的栅极与反馈控制信号CA1电连接， NMOS晶体管N3； NMOS晶体管N4，N4的源极和N3的源极电连接，N4的漏极与N3的栅极电连接，N4的栅极与N3的漏极电连接； NMOS晶体管N5，N5的源极与位线BL电连接，N5的栅极与字线WL电连接，N5的漏极与N3的漏极电连接； NMOS晶体管N6，N6的源极与恢复信号B电连接，N6的栅极与恢复控制信号CB2电连接； PMOS晶体管P1，P1的源极与恢复信号A电连接，P1的栅极与恢复控制信号CA2电连接，P1的漏极与N1的栅极电连接； PMOS晶体管P2，P2的源极与N1的源极电连接，P2的栅极与N3的栅极电连接，P2的漏极与N3的漏极电连接，并设置有存储节点Q； PMOS晶体管P3，P3的源极与N1的源极电连接，P3的栅极与P2的漏极电连接，P3的漏极与N4的漏极电连接，并设置存储节点QB； PMOS晶体管P4，P4的源极与N2的源极、P3的漏极电连接，P4的漏极与N6的漏极电连接，P4的栅极与反馈控制信号CB1电连接； PMOS晶体管P5，P5的源极与N3的源极电连接，P5的栅极与N6的漏极电连接，P5的漏极和GND电连接； 所述11T-SRAM单元电路通过信号的调整，实现休眠及恢复。

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