西安微电子技术研究所李婷获国家专利权
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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种背照式像元抗总剂量加固结构和制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172399B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210907860.8，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种背照式像元抗总剂量加固结构和制备方法是由李婷;何杰;徐晚成;曹天骄;袁昕;张曼;崔双韬;杨靓;李海松设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种背照式像元抗总剂量加固结构和制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种背照式像元抗总剂量加固结构和制备方法，包括NMOS1管的栅区和NMOS2管的栅区；所述NMOS1管的栅区和NMOS2管的栅区呈匚型结构，NMOS1管的栅区和NMOS2管的栅区对称设置，所述NMOS1管的栅区和NMOS2管的栅区开口方向背离共有的有源区。解决在较小像元级电路面积约束的条件下的抗辐照加固问题。面向小尺寸背照式像元电路结构设计，满足空间用超大规模背照式图像传感器的抗辐照需求。
本发明授权一种背照式像元抗总剂量加固结构和制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背照式像元抗总剂量加固结构，其特征在于，包括NMOS1管的栅区51和NMOS2管的栅区53； 所述NMOS1管的栅区51和NMOS2管的栅区53呈匚型结构，NMOS1管的栅区51和NMOS2管的栅区53对称设置，所述NMOS1管的栅区51和NMOS2管的栅区53开口方向背离共有的有源区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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