北京大学高润雄获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利基于忆阻器的存算一体的计算单元、阵列电路与控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114662682B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210306111.X，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权基于忆阻器的存算一体的计算单元、阵列电路与控制方法是由高润雄;贾嵩;段杰斌设计研发完成，并于2022-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于忆阻器的存算一体的计算单元、阵列电路与控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于忆阻器的存算一体的计算单元、阵列电路与控制方法，计算单元的第一MOS管的漏极与第一电压输入信号连接，第二MOS管的源极与第二电压输入信号连接；第一MOS管的栅极、第二MOS管的栅极与控制电压信号共同连接；第一MOS管的源极与第一忆阻器的一端连接，第二MOS管的漏极与第二忆阻器的一端连接；第一忆阻器的另一端、第二忆阻器的另一端与第四MOS管的栅极共同连接；第四MOS管的漏极与第三MOS管的源极连接，第四MOS管的源极与第五MOS管的漏极连接，第五MOS管的源极接地，第三MOS管的漏极作为电流输出端，可以提高电路输出电流的精确性，并且在硬件上实现神经网络的剪枝功能。
本发明授权基于忆阻器的存算一体的计算单元、阵列电路与控制方法在权利要求书中公布了：1.一种基于忆阻器的存算一体的计算单元，其特征在于，所述计算单元用于执行神经网络中的卷积运算，所述计算单元包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第一忆阻器和第二忆阻器； 其中，所述第一MOS管的漏极源级与第一电压输入信号连接，所述第二MOS管的源极漏级与第二电压输入信号连接；所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极与控制电压信号共同连接；所述第一MOS管的源极漏级与所述第一忆阻器的一端连接，所述第二MOS管的漏极源级与所述第二忆阻器的一端连接；所述第一忆阻器的另一端、所述第二忆阻器的另一端与所述第四MOS管的栅极共同连接；所述第四MOS管的漏极与所述第三MOS管的源极连接，所述第四MOS管的源极与所述第五MOS管的漏极源级连接；所述第五MOS管的栅极接第一偏置电压，所述第五MOS管的源极漏级接地；所述第三MOS管的栅极接第二偏置电压，所述第三MOS管的漏极作为电流输出端。
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