青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司王国峰获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司申请的专利肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709252B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210307568.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法是由王国峰;李京兵;石晓宇设计研发完成，并于2022-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法，其中，肖特基二极管包括外延层、第一氧化层、势垒层、第一金属层以及第二金属层，其中，外延层设置有PN结，PN结沿外延层厚度方向将外延层划分为P区和N区，外延层还设置有环形凹槽，环形凹槽的开口端设置于P区；第一氧化层设置于P区远离N区的一面，且位于环形凹槽的环形外；势垒层设置于P区远离N区的一面，且位于环形凹槽的环形内；第一金属层设置于第一氧化层远离外延层的一面；第二金属层设置于势垒层远离外延层的一面；填充结构设置于环形凹槽的凹槽内。本申请通过PN结以及环形凹槽的设置，进一步提高了反向击穿电压，同时可有效降低反向漏电电流，提高高温反向偏压的可靠性。
本发明授权肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括： 外延层，设置有PN结，所述PN结沿所述外延层厚度方向将所述外延层划分为P区和N区，所述外延层还设置有环形凹槽，所述环形凹槽的开口端设置于所述P区； 第一氧化层，设置于所述P区远离所述N区的一面，且位于所述环形凹槽的环形外； 势垒层，设置于所述P区远离所述N区的一面，且位于所述环形凹槽的环形内； 第一金属层，设置于所述第一氧化层远离所述外延层的一面； 第二金属层，设置于所述势垒层远离所述外延层的一面； 填充结构，设置于所述环形凹槽的凹槽内; 所述填充结构包括： 第二氧化层，设置于所述环形凹槽的内腔壁；以及 第三金属层，设置于所述环形凹槽，所述第三金属层位于所述第二氧化层的表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司，其通讯地址为：266227 山东省青岛市即墨区北安街道办事处太吉路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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