中国科学院微电子研究所邢国忠获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种斯格明子晶体管及斯格明子晶体管控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744108B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210296254.7，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种斯格明子晶体管及斯格明子晶体管控制方法是由邢国忠;张昊;赵雪峰;刘龙;王迪;林淮;王紫崴设计研发完成，并于2022-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种斯格明子晶体管及斯格明子晶体管控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种斯格明子晶体管及斯格明子晶体管控制方法，该晶体管包括：铁磁纳米管；分别环绕设置在铁磁纳米管的两端的写入磁性隧道结和读取磁性隧道结；铁电环，环绕设置在铁磁纳米管的外侧，且位于写入磁性隧道结和读取磁性隧道结之间，铁磁纳米管与铁电环形成铁磁铁电异质结；其中，第一电流沿垂直方向注入写入磁性隧道结后，铁磁纳米管在第一电流的诱导下形成斯格明子；关闭第一电流，且铁磁纳米管通入轴向方向上的第二电流后，斯格明子在第二电流的驱动下沿轴向方向运动；在铁电环上施加控制电压，以通过调节控制电压来控制斯格明子的运动状态。上述方案，能够有效提高斯格明子的移动速度，实现晶体管信号传递的大幅度提高。
本发明授权一种斯格明子晶体管及斯格明子晶体管控制方法在权利要求书中公布了：1.一种斯格明子晶体管，其特征在于，包括： 铁磁纳米管； 写入磁性隧道结，环绕设置在所述铁磁纳米管的一端； 读取磁性隧道结，环绕设置在所述铁磁纳米管的另一端； 铁电环，环绕设置在所述铁磁纳米管的外侧，且位于所述写入磁性隧道结和所述读取磁性隧道结之间，所述铁磁纳米管与所述铁电环形成铁磁铁电异质结； 其中，第一电流沿垂直方向注入所述写入磁性隧道结后，所述铁磁纳米管在所述第一电流的诱导下形成斯格明子；关闭所述第一电流，且所述铁磁纳米管通入轴向方向上的第二电流后，所述斯格明子在所述第二电流的驱动下沿所述轴向方向运动；在所述铁电环上施加控制电压，以通过调节所述控制电压来控制所述斯格明子的运动状态。
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