复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司刘桃获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司申请的专利源漏限制外延的方法，器件制备方法、器件、设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114783877B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210198169.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权源漏限制外延的方法，器件制备方法、器件、设备是由刘桃;徐敏;张卫;汪大伟;孙新;陈鲲;杨静雯;吴春蕾;王晨;徐赛生;尹睿设计研发完成，并于2022-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本源漏限制外延的方法，器件制备方法、器件、设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种环栅器件上源漏可控限制外延的方法，包括：在衬底上形成沿第一方向排列的若干鳍结构，在所述若干鳍结构上形成沿第二方向排列的若干假栅结构，且每个假栅结构横跨所述若干鳍结构中的每个鳍结构；刻蚀所述鳍结构形成若干源漏空腔；在相邻鳍结构之间形成沿所述第一方向排列的第一隔离层，以隔离相邻鳍结构之间的源漏空腔；在所述源漏空腔中外延源漏层；去除所述第一隔离层。使得所述源漏层的厚度可以限制在应力释放的临界厚度内，以实现减少因失配错位导致的应力弛豫现象；当然地，通过对所述源漏层厚度的限制，可以限制源漏层于栅极之间的的接触面的面积，从而限制寄生电容。
本发明授权源漏限制外延的方法，器件制备方法、器件、设备在权利要求书中公布了：1.一种环栅器件上源漏可控限制外延的方法，其特征在于，包括： 提供一衬底； 在所述衬底上形成沿第一方向排列的若干鳍结构，以及位于相邻鳍结构之间的浅槽隔离结构； 在所述若干鳍结构上形成沿第二方向排列的若干假栅结构，且每个假栅结构横跨所述若干鳍结构中的每个鳍结构； 刻蚀所述鳍结构形成若干源漏空腔； 在相邻鳍结构之间形成沿所述第一方向排列的第一隔离层，以隔离相邻鳍结构之间的源漏空腔； 在所述源漏空腔中外延源漏层； 去除所述第一隔离层； 其中，所述第一方向与所述第二方向相互垂直。
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