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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利选择性沉积的表面处理获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116917534B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280016683.2，技术领域涉及：C23C16/04；该发明授权选择性沉积的表面处理是由卡门·莱尔·塞万提斯;金龙珍;凯文·卡舍菲设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本选择性沉积的表面处理在说明书摘要公布了：公开了选择性沉积期间的表面预处理方法。本公开内容的一个或多个实施方式提供了有助于去除阻隔层的表面预处理。本公开内容的一些实施方式包括表面预处理，其包括暴露具有第一表面和第二表面的基板以修改第一表面，在经修改第一表面上沉积阻隔层，相较于阻隔层，在第二表面上选择性地沉积膜，并去除阻隔层。

本发明授权选择性沉积的表面处理在权利要求书中公布了：1.一种反向选择性沉积方法，包括以下步骤： 将包含具有第一表面的第一材料和具有第二表面的第二材料的基板暴露于表面预处理以修改所述第一表面并形成经修改第一表面，其中所述表面预处理的步骤包括以下步骤：将所述第一表面暴露于含氮反应物，所述将所述第一表面暴露于含氮反应物将氮原子化学吸附到所述第一表面的至少一部分并形成所述经修改第一表面，并且其中所述基板的顶表面包括至少一个特征，所述至少一个特征延伸进所述基板到底部的深度，所述至少一个特征具有在第一侧壁和第二侧壁之间的宽度，所述第一侧壁和所述第二侧壁由所述第二材料构成，所述底部由所述第一材料构成，所述第一材料包括导电材料并且所述第二材料包括绝缘材料； 将所述基板暴露于包含5-癸炔的阻隔化合物，以在所述经修改第一表面上选择性地形成阻隔层，其中所述氮原子被插入在所述阻隔层的至少一些分子和所述第一表面之间； 相较于所述阻隔层，在所述第二表面上选择性地沉积阻挡膜，所述阻挡膜由氮化钽组成或由氮化钛组成； 将所述阻挡膜和所述阻隔层暴露于后处理，其中所述后处理包括将所述基板暴露于包含氢、氨、水或氧中的一种或多种或由氢、氨、水或氧中的一种或多种组成的反应物； 从所述第一材料去除所述阻隔层；和 在去除所述阻隔层之后，在所述阻挡膜和所述第一材料上沉积第二膜， 其中所述含氮反应物在没有等离子体的情况下暴露于所述第一表面，所述表面预处理有利于从所述第一表面的所述阻隔层的所述去除。

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