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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种单晶体多孔材料扩散过程可视化记录方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116559029B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210114088.4，技术领域涉及：G01N13/00；该发明授权一种单晶体多孔材料扩散过程可视化记录方法是由彭诗超;叶茂;李华;刘中民设计研发完成，并于2022-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单晶体多孔材料扩散过程可视化记录方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种单晶体多孔材料扩散过程可视化记录方法，包括如下步骤：将多孔材料晶体分散至荧光共聚焦培养皿中，加入荧光探针溶液进行扰动，通过超分辨荧光显微镜连续记录单晶体多孔材料的荧光信号图像，即得到单晶体多孔材料中表面渗透与晶内扩散过程随时间演化的图像。本申请基于超分辨荧光显微技术，能够便捷地实现单晶体多孔材料表界面传质地可视化过程，有效区分表面渗透与晶内扩散步骤，能够定量单晶体中表面渗透率与晶内扩散系数，分析其传质限制机制，具有十分鲜明的物理意义。通过记录单晶体多孔材料的表界面传质性质有效补充表面渗透与晶内扩散的基本性质，能够为多孔材料的合成与优化提供指导。

本发明授权一种单晶体多孔材料扩散过程可视化记录方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶体多孔材料扩散过程可视化记录方法，其特征在于，包括如下步骤： 将多孔材料晶体分散至荧光共聚焦培养皿中，加入荧光探针溶液进行扰动，通过超分辨荧光显微镜连续记录单晶体多孔材料的荧光信号图像，即得到单晶体多孔材料表面渗透与晶内扩散过程随时间演化的图像； 将多孔材料晶体分散至荧光共聚焦培养皿中，然后调节超分辨荧光显微镜的焦面为单晶体多孔材料的顶面，加入荧光探针溶液进行扰动，通过超分辨荧光显微镜连续记录单晶体多孔材料的荧光信号图像，即得到单晶体多孔材料表面渗透过程随时间演化的图像； 将多孔材料晶体分散至荧光共聚焦培养皿中，然后调节超分辨荧光显微镜的焦面为单晶体多孔材料的中心面，加入荧光探针溶液进行扰动，通过超分辨荧光显微镜连续记录单晶体多孔材料的荧光信号图像，即得到单晶体多孔材料表面渗透与晶内扩散过程随时间演化的图像； 还包括如下步骤： （a）在记录单晶体多孔材料的荧光信号图像时，记录荧光强度F；其中：初始时刻时对应强度F0，时刻t时对应强度Ft，吸附平衡时对应强度F∞； （b）根据荧光探针扰动下单晶体多孔材料所达到的吸附平衡对应的荧光强度F∞，利用公式1对所测定的荧光强度变化数据进行归一化处理，获得归一化探针吸附浓度随时间变化曲线 公式1中，mt表示各个时刻下单晶体多孔材料中的吸附量，m∞表示单晶体多孔材料吸附平衡时的吸附量； （c）当吸附时间为0-40秒时，采用公式2所示的控制方程确定表面渗透率α， 公式2中，t表示吸附时间，l表示单晶体多孔材料的特征长度； （d）根据公式2所得的表面渗透率，通过公式3计算单晶体多孔材料晶内扩散系数D, 公式3中，L表示晶内扩散与表面渗透的特征时间的比值，βn表示求解方程中的参数。

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