英飞凌科技德累斯顿公司D·迈因霍尔德获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技德累斯顿公司申请的专利用于制造半导体器件的方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115043372B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210054460.7，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权用于制造半导体器件的方法和半导体器件是由D·迈因霍尔德;S·比塞尔特设计研发完成，并于2022-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制造半导体器件的方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及用于制造半导体器件的方法和半导体器件。一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供硅基衬底；在衬底上沉积氧化层；在氧化层上沉积多晶硅层，并且同时在衬底上沉积结晶硅层；基于多晶硅层制造电子器件；将基于玻璃或硅的盖体安装在结晶硅层上。
本发明授权用于制造半导体器件的方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的方法100，其中所述方法包括： 提供硅基衬底110； 在所述衬底上沉积氧化层120； 去除所述氧化层的环形部分以在所述衬底上暴露环形部分； 在所述氧化层上沉积多晶硅层，并且同时在所述衬底上暴露的所述环形部分上沉积结晶硅层以形成环形晶体硅层130； 以所述多晶硅层为基础制造电子器件140，其中所述结晶硅层环状地环绕所述电子器件； 将基于玻璃或硅的盖体安装在所述结晶硅层上150。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英飞凌科技德累斯顿公司，其通讯地址为：德国德累斯顿；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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