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北京工业大学张铭获国家专利权

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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种超薄宽带RCS缩减编码电磁超表面获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114336076B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210035426.5,技术领域涉及:H01Q15/00;该发明授权一种超薄宽带RCS缩减编码电磁超表面是由张铭;席宇鹏;王如志;王长昊;孟宪瑞;张持;李赛楠;马林昊;彭凯设计研发完成,并于2022-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

一种超薄宽带RCS缩减编码电磁超表面在说明书摘要公布了:本发明公开了一种超薄宽带编码RCS缩减超表面,涉及人工电磁超材料技术领域,由反射幅度相同,反射相位相差为180°的两种超表面单元按照PSO算法得到的优化规律排列组成。本发明基于阵列理论考虑设计两种AMC结构进行复合,从而有效拓宽RCS减缩作用带宽;根据相位相消原理,并使用粒子群PSO优化算法进行优化设计获得一种超薄超宽带的编码RCS缩减超表面;两种超表面基本单元相位差在全作用带宽21‑35GHz达到180°±1°,从而使该编码电磁超表面实现相对带宽达到47.2%、缩减效果超过10dB的优异性能。

本发明授权一种超薄宽带RCS缩减编码电磁超表面在权利要求书中公布了:1.一种超薄宽带编码RCS缩减超表面,其特征在于,由反射幅度相同,反射相位相差为180°的两种超表面单元按照PSO算法得到的优化规律排列组成; 所述超表面单元的结构包括依次设置的底板金属层、中间介质层和顶层图形单元; 所述超表面单元包括两种:代表1的第一超表面单元、代表0的第二超表面单元; 所述第一超表面单元的所述顶层图形单元的图形由第一半径四分之一圆环结构,第二半径四分之一圆环结构,第三半径四分之一圆环结构和传输线贴片结构组成,所述顶层图形单元的图形的中心与单元中心重合; 第一半径四分之一圆环结构的半径第二半径四分之一圆环结构的半径第三半径四分之一圆环结构的半径,且第一半径四分之一圆环结构、第二半径四分之一圆环结构和第三半径四分之一圆环结构为同心四分之一圆环结构; 所述第一超表面单元的所述顶层图形单元的图形包括两个沿对角线对称分布的第一半径四分之一圆环结构、两个沿对角线对称分布的第二半径四分之一圆环结构、两个第三半径四分之一圆环结构和一根传输线;其中,传输线贯穿两个第一半径四分之一圆环结构和两个第二半径四分之一圆环结构,两个第三半径四分之一圆环结构沿传输线对称分布; 所述第二超表面单元由所述第一超表面单元沿对称中心旋转90°得到。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京工业大学,其通讯地址为:100124 北京市朝阳区平乐园100号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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