上海贝岭股份有限公司王鑫森获国家专利权
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龙图腾网获悉上海贝岭股份有限公司申请的专利电荷泵及包括其的电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114301281B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111613649.7,技术领域涉及:H02M3/07;该发明授权电荷泵及包括其的电子设备是由王鑫森;赵海亮;张勇;阮颐;李军设计研发完成,并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本电荷泵及包括其的电子设备在说明书摘要公布了:本发明公开了一种电荷泵及包括其的电子设备,所述电荷泵包括电压变换器、信号发生器、控制模块;所述信号发生器的第一输入端与所述电压变换器的正电压输出端连接,第二输入端与参考电源连接,输出端与所述第四NMOS管的栅极连接。本发明通过电荷泵的信号发生器根据电压变换器输出的正电压和接入的参考电压控制第四NMOS管的开启或关断,进而控制电压变换器的正电压输出端输出1倍的电源电压到2倍的电源电压,负电压输出端输出‑1倍的电源电压到‑2倍的电源电压,使电荷泵的电压输出变化范围增大,输出波纹小,电路负载能力大。
本发明授权电荷泵及包括其的电子设备在权利要求书中公布了:1.一种电荷泵,其特征在于,所述电荷泵包括电压变换器、信号发生器、控制模块; 所述电压变换器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四NMOS管、第五PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第一电容、第二电容; 所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管、所述第五PMOS管、所述第六NMOS管、所述第七NMOS管、所述第八NMOS管的栅极均与所述控制模块连接; 所述第一PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的源极均连接电源,所述第一PMOS管的源极分别与所述第二PMOS管的漏极以及所述第一电容的一端连接; 所述第二PMOS管的源极与所述第五PMOS管的漏极连接,形成所述电压变换器的正电压输出端; 所述第三PMOS管的漏极分别与所述第一电容的另一端以及所述第四NMOS管的漏极连接; 电压变换器所述第五PMOS管的源极分别与所述第二电容的一端以及所述第六NMOS管的漏极连接; 所述第四NMOS管的源极、所述第六NMOS管的源极以及所述第七NMOS管的源极均接地,所述第七NMOS管的漏极分别与所述第二电容的另一端以及所述第八NMOS管的漏极连接,所述第八NMOS管的源极形成所述电压变换器的负电压输出端; 所述信号发生器的第一输入端与所述正电压输出端连接,第二输入端与参考电源连接,输出端与所述第四NMOS管的栅极连接;所述信号发生器通过电压变换器输出的正电压和接入的参考电压控制第四NMOS管的开启或关断,使所述电荷泵的电压变化范围增大。
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