买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中车永济电机有限公司申请的专利一种考虑散热器的IGBT模块结温计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114398809B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111558221.7，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种考虑散热器的IGBT模块结温计算方法是由水富丽;郭佳;刘志敏;王武俊;李刚;荆海燕设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种考虑散热器的IGBT模块结温计算方法在说明书摘要公布了：本发明涉及IGBT结温估计方法，具体为一种考虑散热器的IGBT模块结温计算方法。本发明从工程应用角度出发，针对运行工况大幅变化的大功率变流器IGBT模块，通过有限元仿真的结果，获取不同工况下FWDIGBT芯片在导热硅脂层的耦合情况，进而获取其数学表达。综合考虑结温估计的运算资源开销、精度问题，给出考虑不同工况下IGBT芯片和FWD芯片损耗耦合情况的热网络数学模型，该数学模型结构简单、计算量小，在工程应用中可实现IGBT结温动态变化的更精确实时响应。

本发明授权一种考虑散热器的IGBT模块结温计算方法在权利要求书中公布了：1.一种考虑散热器的IGBT模块结温计算方法，其特征在于：搭建IGBT芯片、FWD芯片最大结温热网络模型，根据该热网络模型，IGBT芯片结温Tj_igbt计算公式如下：Tj_igbt＝ΔTjc_igbt+ΔTgrease_igbt+ΔTplate_igbt+Ta，其中，Tj_igbt：IGBT芯片的最大结温；ΔTjc_igbt：结温最高IGBT芯片结到壳的温升；ΔTgrease_igbt：结温最高IGBT芯片对应导热硅脂层温升；ΔTplate_igbt：结温最高IGBT芯片对应散热器温升；Ta：散热器冷却介质入口温度； 其中，Rigbt、Cigbt：以IGBT芯片结温最大点温度与其对应垂向壳温温差计算的热阻、热容； Rgrease_igbt、Cgrease_igbt：以IGBT芯片结温最大点垂向对应导热硅脂层垂向温差计算的热阻、热容； Rplate_igbt、Cplate_igbt：以IGBT芯片结温最大点垂向对应散热器表面温度与冷区介质入口温度温差计算的热阻、热容； Pigbt：IGBT芯片损耗功率； Pfwd：FWD芯片损耗功率； P′fwd：导热硅脂层，FWD芯片损耗耦合到IGBT芯片传热路径的部分损耗； kfwd：FWD上产生的损耗在导热硅脂层耦合到IGBT传热路径中的系数； FWD芯片结温Tj_fwd计算公式如下： Tj_fwd＝ΔTjc_fwd+ΔTgrease_fwd+ΔTplate_fwd+Ta，其中：Tj_fwd：FWD芯片的最大结温，ΔTjc_fwd：结温最高FWD芯片结到壳的温升，ΔTgrease_fwd：结温最高FWD芯片对应导热硅脂层温升，ΔTplate_fwd：结温最高FWD芯片对应散热器温升； Rfwd、Cfwd：以FWD芯片结温最大点温度与其对应垂向壳温温差计算的热阻、热容； Rgrease_fwd、Cgrease_fwd：以FWD芯片结温最大点垂向对应导热硅脂层垂向温差计算的热阻、热容； Rplate_fwd、Cplate_fwd：以FWD芯片结温最大点垂向对应散热器表面温度与冷区介质入口温度温差计算的热阻、热容； P′igbt：导热硅脂层，IGBT芯片损耗耦合到FWD芯片传热路径的部分损耗； kigbt：IGBT上产生的损耗在导热硅脂层耦合到FWD传热路径中的系数； 按照不同损耗设置，进行稳态仿真，提取导热硅脂层的热阻Rgrease_igbt和Rgrease_fwd及耦合系数kigbt和kfwd；给定额定损耗输入，进行瞬态仿真，提取不同点的温度，按照热网络模型动态计算公式进行参数Rigbt和Cigbt、Rfwd和Cfwd、Cgrease_igbt、Cgrease_fwd、Rplate_igbt和Cplate_igbt、Rplate_fwd和Cplate_fwd辨识。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中车永济电机有限公司，其通讯地址为：044500 山西省运城市永济市电机大街18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。