意法半导体有限公司;意法半导体(克洛尔2)公司O·韦伯获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体有限公司;意法半导体(克洛尔2)公司申请的专利集成标准单元的设置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649325B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111546019.2，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权集成标准单元的设置是由O·韦伯;C·勒科克设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成标准单元的设置在说明书摘要公布了：本公开涉及集成标准单元的设置。集成电路包括至少一个第一标准单元，该至少一个第一标准单元由两个第二标准单元框定。该三个单元被彼此相邻设置，并且每个标准单元包括位于绝缘体上硅silicon‑on‑insulator，SOI衬底中和上的至少一个NMOS晶体管和至少一个PMOS晶体管。第一标准单元的至少一个PMOS晶体管具有包括硅和锗的沟道。每个第二标准单元的至少一个PMOS晶体管具有硅沟道，每个第二标准单元的至少一个PMOS晶体管的阈值电压与所述第一单元的至少一个PMOS晶体管的阈值电压在绝对值上不同。
本发明授权集成标准单元的设置在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括： 绝缘体上硅衬底； 至少一个第一标准单元，由两个第二标准单元框定，所述第一标准单元和所述两个第二标准单元被彼此相邻设置，每个单元包括： 位于所述绝缘体上硅衬底中和上的至少一个NMOS晶体管和至少一个PMOS晶体管，所述第一标准单元的至少一个PMOS晶体管具有包括硅和锗的沟道，每个第二标准单元的至少一个NMOS晶体管具有硅沟道，所述每个第二标准单元的至少一个NMOS晶体管的阈值电压与所述第一标准单元的至少一个PMOS晶体管的阈值电压在绝对值上不同。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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