中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司陈建获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230636B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111470775.1，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由陈建;王彦设计研发完成，并于2021-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，衬底包括基底、牺牲鳍部和若干器件鳍部，衬底包括隔离区和若干器件区，若干器件鳍部位于器件区，牺牲鳍部位于隔离区；在衬底上形成初始隔离层，初始隔离层覆盖器件鳍部、牺牲鳍部的侧壁；去除牺牲鳍部，在初始隔离层内形成隔离开口；在隔离开口内形成介电鳍部；形成栅极结构，栅极结构横跨位于器件区上的若干器件鳍部，栅极结构露出介电鳍部的顶部表面。通过去除牺牲鳍部形成隔离开口，使得位于介电鳍部两侧的栅极结构之间的间隔较小。当位于所述介电鳍部两侧的栅极结构之间的间隔较小时，对应的所述栅极结构的体积增大，进而使得后续在所述栅极结构上形成导电结构的设计窗口增大。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的相互分立的牺牲鳍部和若干器件鳍部，所述衬底包括隔离区以及若干器件区，所述隔离区位于相邻的所述器件区之间，若干所述器件鳍部分别位于所述器件区，所述牺牲鳍部位于所述隔离区； 在所述衬底上形成初始隔离层，所述初始隔离层覆盖所述器件鳍部和所述牺牲鳍部的侧壁； 去除所述牺牲鳍部，在所述初始隔离层内形成隔离开口； 在所述隔离开口内形成介电鳍部，所述介电鳍部的顶部表面高于所述器件鳍部的顶部表面； 在形成所述介电鳍部之后，回刻蚀所述初始隔离层，形成隔离层，所述隔离层的顶部表面低于所述器件鳍部的顶部表面； 在所述隔离层上形成栅极结构，所述栅极结构横跨位于所述器件区上的若干器件鳍部，且所述栅极结构覆盖所述介电鳍部的侧壁，暴露出所述介电鳍部的顶部表面；其中， 所述牺牲鳍部和若干所述器件鳍部通过自对准多重图形化工艺形成。
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