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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种栅控雪崩触发结构及半导体脉冲功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300534B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111369503.2，技术领域涉及：H10D10/60；该发明授权一种栅控雪崩触发结构及半导体脉冲功率器件是由汤晓燕;郭登耀;宋庆文;张玉明设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种栅控雪崩触发结构及半导体脉冲功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种栅控雪崩触发结构，自下而上依次包括阴极金属、衬底、外延层、阳极金属以及栅金属；其中，外延层内部设有第一掺杂区和第二掺杂区；第一掺杂区起始于外延层的上表面并向下延伸至外延层的下表面；第二掺杂区起始于左侧的外延层上表面并向下延伸至外延层内部，同时留出一部分外延层做为漂移区；阳极金属位于第二掺杂区上方；栅金属位于第一掺杂区和第二掺杂区之间的外延层上方，且栅金属与外延层之间还设有栅极和栅介质层。本发明提供的栅控雪崩触发结构通过采用外加栅压的方式使器件发生雪崩，产生等离子体使其快速导通；该结构可将触发信号与工作电流分离，减小了驱动电路设计的复杂程度。

本发明授权一种栅控雪崩触发结构及半导体脉冲功率器件在权利要求书中公布了：1.一种栅控雪崩触发结构，其特征在于，自下而上依次包括：阴极金属1、衬底2、外延层3、阳极金属4以及栅金属5；其中， 所述外延层3内部设有第一掺杂区31和第二掺杂区32； 所述第一掺杂区31起始于所述外延层3的上表面并向下延伸至所述外延层3的下表面； 所述第二掺杂区32起始于左侧的外延层3上表面并向下延伸至外延层3内部，同时留出一部分外延层3作为漂移区33； 所述阳极金属4位于所述第二掺杂区32上方； 所述栅金属5位于所述第一掺杂区31和所述第二掺杂区32之间的所述外延层3上方，且所述栅金属5与所述外延层3之间还设有栅极6和栅介质层7； 其中，所述第一掺杂区31和所述第二掺杂区32均为重掺杂区，所述外延层3为轻掺杂区；在衬底2为N+掺杂时，所述外延层3为P-掺杂，所述第一掺杂区31和所述第二掺杂区32均为P+掺杂，漂移区33为P-掺杂；所述栅控雪崩触发结构包括三部分，第一部分为P+第二掺杂区32、P-漂移区33和N+衬底2构成的类似穿通型PiN二极管结构；第二部分为栅极6、栅介质层7和P-漂移区33构成的MOS结构；第三部分为P+第一掺杂区31和N+衬底2构成的PN结结构；假设穿通型PiN二极管结构静态击穿电压为V1，PN结结构静态击穿电压为V2，给阴极金属1加电压V，阳极金属4接0电位，通过栅金属5上的电压，调节阴极金属1与阳极金属4之间所加电压分布在PN结上的权重，从而起到改变器件击穿电压的效果，击穿电压改变的范围为[V2，V1]。

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