买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种栅控雪崩快速闭合IGBT及其对称结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361254B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111348542.4，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种栅控雪崩快速闭合IGBT及其对称结构是由汤晓燕;郭登耀;宋庆文;张玉明设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种栅控雪崩快速闭合IGBT及其对称结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种栅控雪崩快速闭合IGBT，自下而上依次包括：集电极金属、衬底、第一外延层、第二外延层、第三外延层、发射极金属以及栅金属；其中，第三外延层内部设有第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区；第一掺杂区起始于第三外延层的上表面并向下延伸至第三外延层的下表面；第二掺杂区起始于第三外延层的左上角并向下右下延伸至第三外延层内部，且与第一掺杂区具有一定间隔；第三掺杂区位于第二掺杂区内，且与第二掺杂区左右两侧具有一定间隔；发射极金属位于部分第二掺杂区和部分第三掺杂区上方；栅金属位于第二掺杂区和第一掺杂区之间的第三外延层上方。在脉冲功率系统中，本发明提供的雪崩闭合IGBT与传统IGBT相比可显著缩短脉冲前沿，提高脉冲源性能。

本发明授权一种栅控雪崩快速闭合IGBT及其对称结构在权利要求书中公布了：1.一种栅控雪崩快速闭合IGBT，其特征在于，自下而上依次包括：集电极金属1、衬底2、第一外延层3、第二外延层4、第三外延层5、发射极金属6以及栅金属7；其中， 所述第三外延层5内部设有第一掺杂区51、第二掺杂区52以及第三掺杂区53； 所述第一掺杂区51起始于所述第三外延层5的上表面并向下延伸至所述第三外延层5的下表面； 所述第二掺杂区52起始于所述第三外延层5的左上角并向下右下延伸至所述第三外延层5内部，且与所述第一掺杂区51具有一定间隔，同时在所述第三外延层5中没有额外掺杂的部分形成第一漂移区54； 所述第三掺杂区53起始于所述第二掺杂区52的上表面并向下延伸至所述第二掺杂区52内，且与所述第二掺杂区52左右两侧具有一定间隔； 所述发射极金属6位于部分所述第二掺杂区52和部分所述第三掺杂区53上方； 所述栅金属7位于所述第二掺杂区52和所述第一掺杂区51之间的所述第三外延层5上方，且所述栅金属7与所述第三外延层5之间还设有栅极8和栅介质层9； 其中，所述第一外延层3和所述第二外延层4的掺杂类型相同；所述第三外延层5与所述衬底2的掺杂类型相同，且与所述第二外延层4异型掺杂； 所述第一掺杂区51、所述第二掺杂区52与所述第三外延层5的掺杂类型相同；所述第三掺杂区53与所述第二外延层4的掺杂类型相同； 所述第一掺杂区51和所述第三掺杂区53均为重掺杂区。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。