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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社崔秀明获国家专利权

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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114695340B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111339834.1,技术领域涉及:H10D89/60;该发明授权半导体装置是由崔秀明设计研发完成,并于2021-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体装置在说明书摘要公布了:实施方式的半导体装置具有:第一导电型的半导体层;第一电极,设置于所述半导体层上;第二电极,设置于所述半导体层上;第三电极,设置于所述半导体层上,在所述第一电极与所述第二电极之间分离地设置;第二导电型的第一半导体区域,设置于所述半导体层中;第一导电型的第一阴极区域;第二导电型的第一阳极区域;第一导电型的第二阴极区域;第二导电型的第二阳极区域;第二导电型的第三阳极区域;第一导电型的第三阴极区域;第二导电型的第二半导体区域;第二导电型的第四阳极区域;以及第一导电型的第四阴极区域。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,具备: 第一导电型的半导体层; 第一电极,设置于所述半导体层上; 第二电极,设置于所述半导体层上; 第三电极,设置于所述第一电极与所述第二电极之间的所述半导体层上,与所述第一电极与所述第二电极分离; 第二导电型的第一半导体区域,设置于所述半导体层中; 第一导电型的第一阴极区域,设置于所述第一半导体区域中,与所述第一电极连接; 第二导电型的第一阳极区域,设置于所述第一半导体区域中,与所述第三电极连接; 第一导电型的第二阴极区域,在从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向上与所述第一半导体区域分离地设置于所述半导体层中,与所述第三电极连接; 第二导电型的第二阳极区域,设置于所述半导体层中,与所述第二电极连接; 第二导电型的第三阳极区域,设置于所述半导体层中,与所述第一电极连接; 第一导电型的第三阴极区域,设置于所述半导体层中,与所述第三电极连接; 第二导电型的第二半导体区域,设置于所述半导体层中; 第二导电型的第四阳极区域,设置于所述第二半导体区域,与所述第三电极连接;以及 第一导电型的第四阴极区域,设置于所述第二半导体区域中,与所述第二电极连接, 所述第一阴极区域和所述第三阳极区域在与所述第一方向相交的第二方向上排列, 所述第二半导体区域在所述第一方向和所述第二方向上均与所述第一半导体区域分离。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社,其通讯地址为:日本东京都;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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