广州大学葛军获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉广州大学申请的专利一种忆阻器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038995B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111192931.2，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种忆阻器及其制备方法和应用是由葛军;马泽霖;曹栩诚;陈莞君;刁山青;潘书生设计研发完成，并于2021-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种忆阻器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种忆阻器及其制备方法和应用，该忆阻器包括从上到下依次设置的顶电极、阻变层及底电极，所述底电极为含硅衬底，所述阻变层为含硅衬底表面形成的天然氧化层。本发明中的忆阻器采用天然氧化层作为阻变层，天然氧化层是由空气自然氧化形成，具有厚度薄、与含硅衬底之间几乎完美的接触界面、表面原子级别光滑、无需人工制备、成本低、与互补金属氧化物半导体工艺兼容等优势，克服了本领域普遍认为的含硅衬底表面的天然氧化层不利于忆阻器性能的技术偏见。此外，本发明中的忆阻器同时具有优异的数据保持能力、高稳定性、模拟开关特性三种性能。
本发明授权一种忆阻器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种忆阻器，其特征在于：包括从上到下依次设置的顶电极、阻变层及底电极，所述底电极为含硅衬底，所述阻变层为含硅衬底表面形成的天然氧化层；所述天然氧化层为氧化硅；所述天然氧化层的厚度为0.1～4nm；所述顶电极为贵金属电极层；所述贵金属电极层为金银复合电极层；所述金银复合电极层包括银纳米团簇和金包覆层，所述银纳米团簇位于靠近阻变层处的金包覆层内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州大学，其通讯地址为：510006 广东省广州市大学城外环西路230号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号