重庆平创半导体研究院有限责任公司钱靖获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆平创半导体研究院有限责任公司申请的专利一种碳化硅封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903710B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111159907.9，技术领域涉及：H01L23/04；该发明授权一种碳化硅封装结构及封装方法是由钱靖;陈显平;罗厚彩设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅封装结构及封装方法，所述结构通过方法制成，结构包括基板和半导体芯片，半导体芯片位于基板中部，中部为凹槽状设置且倒扣于半导体芯片上表面的SiC封装外壳，SiC封装外壳上设有连通SiC封装外壳内外两侧面的电极连接区，电极连接区在SiC封装外壳内侧面上设置有设定高度的电极区凸起，电极区凸起与半导体芯片上表面的电极区域焊接设置，SiC封装外壳与基板连接处焊接设置，电极连接区在SiC封装外壳外侧面上焊接有引出电极。本发明可将封装外壳体积进一步缩小，且能减小热应力，提高器件的可靠性。同时提高热导，满足碳化硅器件的散热需求。此外，本结构还具备一定的抗辐照能力，拓展其在空间领域中的应用。
本发明授权一种碳化硅封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅封装结构的封装方法，其特征在于：包括以下步骤： 在SiC晶体上且对应半导体芯片电极区的部位采用渗透工艺渗透金属材料，形成连通SiC封装外壳两侧面的电极连接区； 在SiC晶体上且存在电极连接区的一侧面进行刻蚀处理，形成中部为凹槽状的SiC封装外壳；并将凹槽内的电极连接区保留设定高度，形成电极区凸起； 将SiC封装外壳倒扣于基板上设置的半导体芯片上方，并将电极区凸起与半导体芯片上表面的电极区域焊接设置，以及将SiC封装外壳与基板连接处焊接设置； 在SiC封装外壳外侧面上的电极连接区上采用铝带或铜带键合工艺设置引出电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人重庆平创半导体研究院有限责任公司，其通讯地址为：401120 重庆市璧山区璧泉街道东林大道92号(52号厂房、53号厂房)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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