格芯(美国)集成电路科技有限公司Y·T·尼古获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利包括下方具有含掺杂剂的多晶区的多晶电阻器的结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335340B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111133077.2，技术领域涉及：H10D1/47；该发明授权包括下方具有含掺杂剂的多晶区的多晶电阻器的结构是由Y·T·尼古;S·P·阿杜苏米利;S·M·尚克;M·J·齐拉克;M·H·余设计研发完成，并于2021-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括下方具有含掺杂剂的多晶区的多晶电阻器的结构在说明书摘要公布了：本公开涉及一种包括下方具有含掺杂剂的多晶区的多晶电阻器的结构。一种结构包括：半导体衬底；以及位于半导体衬底之上的多晶电阻器区。多晶电阻器区包括多晶形态的半导体材料。含掺杂剂的多晶区位于多晶电阻器区和半导体衬底之间。
本发明授权包括下方具有含掺杂剂的多晶区的多晶电阻器的结构在权利要求书中公布了：1.一种电阻器结构，包括： 半导体衬底； 位于所述半导体衬底之上的多晶电阻器区，所述多晶电阻器区包括多晶形态的半导体材料；以及 位于所述多晶电阻器区和所述半导体衬底之间的含掺杂剂的多晶区， 其中所述含掺杂剂的多晶区中的掺杂剂包括惰性气体元素。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人格芯(美国)集成电路科技有限公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号