浙江驰拓科技有限公司孙慷获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利一种MRAM写失效的检测处理方法及检测处理电路、MRAM获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910138B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110977920.9，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权一种MRAM写失效的检测处理方法及检测处理电路、MRAM是由孙慷;吴爱龙;何世坤;徐晓波设计研发完成，并于2021-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MRAM写失效的检测处理方法及检测处理电路、MRAM在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MRAM写失效的检测处理方法及检测处理电路、MRAM，该检测处理方法包括：采用电压值为V1的写电压，向MRAM的待测存储区写入第一数据；该待测存储区在应用时的正常写电压值为V2，且V1＜V2；读取待测存储区中所存储的数据，获得第二数据；比较第一数据和第二数据，检测出待测存储区中写失效的存储元。使得在进行写失效的检测过程中，WER与写电流的关系曲线存在较长拖尾的异常存储元的失效概率提升程度，远大于WER与写电流的关系曲线存在较短拖尾的正常存储元的失效概率提升程度，从而能够检测出更多写失效的异常存储元，提升整体的失效存储元的检测覆盖率。检测处理方法能够通过简单的算法电路即可实现检测，更加高效的运用到筛片工序中。
本发明授权一种MRAM写失效的检测处理方法及检测处理电路、MRAM在权利要求书中公布了：1.一种MRAM写失效的检测处理方法，其特征在于，包括： 步骤1：采用电压值为V1的写电压，向所述MRAM的待测存储区写入第一数据；其中，所述待测存储区在应用时的正常写电压值为V2，且V1＜V2； 步骤2：读出所述待测存储区中所存储的数据，获得第二数据； 步骤3：比较所述第一数据和所述第二数据，检测出所述待测存储区中写失效的存储元。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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