株式会社日立高新技术上田和浩获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社日立高新技术申请的专利等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116018669B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180017270.1，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法是由上田和浩;池永和幸设计研发完成，并于2021-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法在说明书摘要公布了：提供可靠性高的等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法。作为其手段，是一种等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法，该等离子处理装置用保护皮膜形成于配置在等离子处理装置的处理室内部的基材的表面，且包含对等离子具有耐受性的材料，其中，该等离子处理装置对载置于配置在真空容器内部的处理室内的处理对象的晶片使用在该处理室内形成的等离子进行处理，在该等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法中，具有如下工序：a准备在表面具备含有钇的皮膜的基材；和b将基材浸渍到稀硝酸液中，通过对皮膜进行超声波照射来进行清洗，在b工序中，在清洗中检测钇的洗脱速度，在从开始超声波照射起的钇的洗脱速度依次经过了第1减少、第1增加、第2减少后，在发生第2增加前停止清洗。
本发明授权等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法，该等离子处理装置用保护皮膜形成于配置在等离子处理装置的处理室内部的基材的表面，且包含对等离子具有耐受性的材料，其中，所述等离子处理装置对载置于配置在真空容器内部的处理室内的处理对象的晶片使用在该处理室内形成的所述等离子进行处理， 所述等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法的特征在于，具有如下工序： a准备在表面具备含有钇的等离子处理装置用保护皮膜的所述基材；和 b将所述基材浸渍到稀硝酸液中，通过对所述等离子处理装置用保护皮膜进行超声波照射来进行清洗， 在所述b工序中，在从开始所述超声波照射起的钇的洗脱速度依次经过了第1减少、第1增加、第2减少后，在发生第2增加前停止清洗。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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