南亚科技股份有限公司苏国辉获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464594B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110953767.6，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体元件结构及其制备方法是由苏国辉设计研发完成，并于2021-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一基底，具有一图案密集区以及一图案稀疏区；一第一导电层，设置在该基底上；一第一介电层，设置在该第一导电层上；一第一导电栓柱与一第二导电栓柱，设置在该第一介电层中，其中该第一导电栓柱与该第二导电栓柱包含铜，并通过包含锰的一第一衬垫层而与该第一介电层分隔开；其中该第一导电栓柱与该第二导电栓柱具有不同深宽比。
本发明授权半导体元件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件结构，包括： 一第一导电层，设置在一半导体基底上； 一第二导电层，设置在该第一导电层上； 一第一导电栓柱，设置在该第一导电层与该第二导电层之间，并电性连接该第一导电层与该第二导电层，其中该第一导电栓柱包含铜；以及 一第一衬垫层，围绕该第一导电栓柱设置，其中该第一衬垫层包含锰； 一第三导电层，设置在该第二导电层上； 一第二导电栓柱，设置在该第二导电层与该第三导电层之间，并电性连接该第二导电层与该第三导电层，其中该第二导电栓柱包含铜；以及 一第二衬垫层，围绕该第二导电栓柱设置，其中该第二衬垫层的一部分夹置在该第二导电栓柱与该第二导电层之间，以及 其中该第二衬垫层包括： 一第一衬垫子层，设置在该第二导电层上，且直接接触该第二导电层，其中该第一衬垫子层包含锰硅； 一第二衬垫子层，设置在该第一衬垫子层上，其中该第二衬垫子层包含锰；以及 一第三衬垫子层，设置在该第二衬垫子层上，其中该第三衬垫子层直接接触该第二导电栓柱，以及其中该第三衬垫子层包含铜锰。
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