中芯南方集成电路制造有限公司张海获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯南方集成电路制造有限公司申请的专利套刻偏差的量测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115704852B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110913637.X，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权套刻偏差的量测方法是由张海;杨晓松;吴怡旻设计研发完成，并于2021-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本套刻偏差的量测方法在说明书摘要公布了：一种套刻偏差的量测方法，包括：提供若干批次待测晶圆；在若干批次待测晶圆中获取若干样品晶圆；采用第一光照剂量对样品晶圆进行第一套刻偏差量测，获取第一量测值组；采用第二光照剂量对样品晶圆进行第二套刻偏差量测，获取第二量测值组，所述第一光照剂量高于所述第二光照剂量；获取所述第一量测值组和所述第二量测值组的平均偏差值组；在所述若干批次待测晶圆中获取实测晶圆；采用所述第二光照剂量或所述第一光照剂量对实测晶圆的所有区域点进行第三套刻偏差量测，获取实测晶圆的第三量测值组；采用所述平均偏差值组对所述第三量测值组点对点进行校准，获取实测晶圆的套刻偏差值组。从而，在保证量测精度的同时可以提高量测效率。
本发明授权套刻偏差的量测方法在权利要求书中公布了：1.一种套刻偏差的量测方法，其特征在于，包括： 提供若干批次待测晶圆； 在所述若干批次待测晶圆中获取若干样品晶圆； 采用第一光照剂量对所述样品晶圆进行第一套刻偏差量测，获取第一量测值组； 采用第二光照剂量对所述样品晶圆进行第二套刻偏差量测，获取第二量测值组，所述第一光照剂量高于所述第二光照剂量； 获取所述第一量测值组和所述第二量测值组的平均偏差值组； 在所述若干批次待测晶圆中获取实测晶圆； 采用所述第二光照剂量对所述实测晶圆的所有区域点进行第三套刻偏差量测，获取所述实测晶圆的第三量测值组； 采用所述平均偏差值组对所述第三量测值组点对点进行校准，获取所述实测晶圆的套刻偏差值组。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯南方集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号3号楼5楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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