南亚科技股份有限公司康庭慈获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948450B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110802419.9，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其制造方法是由康庭慈;丘世仰设计研发完成，并于2021-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤：提供第一半导体晶圆，其中第一半导体晶圆包括第一介电层及嵌入第一介电层内的至少一第一顶部金属化结构，且第一介电层的顶面比第一顶部金属化结构高出第一距离；提供第二半导体晶圆，其中第二半导体晶圆包括第二介电层及嵌入第二介电层内的至少一第二顶部金属化结构，且第二顶部金属化结构的顶面比第二介电层的顶面高出第二距离；以及混合接合第一半导体晶圆及第二半导体晶圆。借此，第一顶部金属化结构与第二顶部金属化结构之间的接合可准确且紧密，并且在两者之间不会产生任何空隙，从而可很好地实现第一半导体晶圆与第二半导体晶圆之间的高接合强度。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供第一半导体晶圆，其中该第一半导体晶圆包括第一介电层及嵌入该第一介电层内的至少一第一顶部金属化结构，且该第一介电层的顶面比该第一顶部金属化结构高出第一距离； 提供第二半导体晶圆，其中该第二半导体晶圆包括第二介电层及嵌入该第二介电层内的至少一第二顶部金属化结构，且该第二顶部金属化结构的顶面比该第二介电层的顶面高出第二距离，且提供该第二半导体晶圆包括： 在该第二介电层上垂直形成蚀刻停止层，其中该蚀刻停止层的厚度大致上等于该第二距离；以及 混合接合该第一半导体晶圆及该第二半导体晶圆。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南亚科技股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新北市泰山区南林路98号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号