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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利集成有无源器件的基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513228B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110696124.8，技术领域涉及：H10D86/80；该发明授权集成有无源器件的基板及其制备方法是由刘英伟;曹占锋;姚琪;王珂;王明星;袁广才;曲峰设计研发完成，并于2021-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成有无源器件的基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种集成有无源器件的基板及其制备方法，属于射频器件技术领域。本公开的集成有无源器件的基板的制备方法，其包括：提供第一介质层和第二介质层，并在所述第一介质层和所述第二介质层上分别形成第一连接通孔和第二连接通孔；在所述第一介质层和第二介质层上形成集成无源器件；所述无源器件至少包括电感；所述电感包括：在所述第一介质层上形成第一子结构，在所述第一连接通孔内形成第一连接电极，在所述第二介质层上形成第二子结构，在所述第二连接通孔内形成第二连接电极；将所述第一介质层所述第二介质层相贴合，所述第一子结构、所述第一连接电极、所述第二连接电极和所述第二子结构电连接形成所述电感的线圈结构。

本发明授权集成有无源器件的基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成有无源器件的基板的制备方法，其包括： 提供第一介质层和第二介质层，并在所述第一介质层上形成多个第一连接过孔，以及在所述第二介质层上形成多个第二连接过孔；所述第一介质层包括沿厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；所述第二介质层包括沿厚度方向相对设置的第三表面和第四表面； 所述第一介质层和或所述第二介质层的厚度均为0.2mm-0.3mm； 集成无源器件，所述无源器件至少包括电感；形成所述电感的步骤包括： 在所述第一介质层的第一表面形成第一子结构，以及在所述第一连接过孔内形成第一连接电极； 在所述第二介质层的第四表面形成第二子结构，以及在所述第二连接过孔内形成第二连接电极； 将所述第一介质层的第二表面和所述第二介质层的第三表面相贴合，一个所述第一连接过孔与一个所述第二连接过孔在所述第一介质层上的正投影至少部分重叠，一个所述第一连接电极与一个所述第二连接电极电连接，且所述第一子结构、所述第一连接电极、所述第二连接电极和所述第二子结构电连接形成所述电感的线圈结构。

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