株式会社日立制作所渡边直树获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社日立制作所申请的专利半导体装置以及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115552634B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180032221.5，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置以及其制造方法是由渡边直树;卜渊设计研发完成，并于2021-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置以及其制造方法在说明书摘要公布了：防止在接触区域与硅化物层的界面产生缺陷，由此实现能抑制通电劣化的可靠性高的IGBT。作为其手段，提供一种半导体装置，其具有：形成于半导体基板的下表面且构成IGBT的集电极区域；和在集电极区域的下表面隔着硅化物层形成的集电极电极，硅化物层包含：铝、比铝更易于与硅结合的第1金属和比铝更易于与碳结合的第2金属。
本发明授权半导体装置以及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具有： 半导体基板； 集电极区域，其形成于所述半导体基板的下表面，为第1导电型； 第1半导体区域，其在所述半导体基板中形成于所述集电极区域上，为与所述第1导电型不同的第2导电型； 第2半导体区域，其从所述半导体基板的上表面延续到所述第1半导体区域的中途深度来形成，为所述第1导电型； 发射极区域，其从所述第2半导体区域的上表面延续到所述第2半导体区域的中途深度来形成，与所述第1半导体区域分离，为所述第2导电型； 栅极电极，其在所述半导体基板上隔着绝缘膜来形成，以使得覆盖所述发射极区域与所述第1半导体区域之间的所述第2半导体区域； 硅化物层，其与所述集电极区域的下表面相接来形成；和 集电极电极，其与所述硅化物层的下表面相接来形成， 所述集电极区域、所述发射极区域以及所述栅极电极构成绝缘栅双极型晶体管， 所述硅化物层包含：铝、比铝更易于与硅结合的第1金属、以及比铝更易于与碳结合的第2金属。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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