广州市香港科大霍英东研究院罗正汤获国家专利权
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龙图腾网获悉广州市香港科大霍英东研究院申请的专利一种形貌可控的单层六方氮化硼生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113549897B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110610425.4，技术领域涉及：C23C16/34；该发明授权一种形貌可控的单层六方氮化硼生长方法是由罗正汤;刘宏伟设计研发完成，并于2021-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种形貌可控的单层六方氮化硼生长方法在说明书摘要公布了：一种形貌可控的单层六方氮化硼生长方法，涉及二维材料合成领域；包括以下步骤：S1，将金属箔作为生长基底置于支撑材料上，然后将载有金属箔的支撑材料放入化学气相沉积装置的反应区中；S2，将含有氮源和硼源的前驱体置于化学气相沉积装置的上游区，所述上游区位于所述反应区之沿载气流动方向的上游方向；S3，通入载气，加热反应区，直至金属箔呈完全熔融状态，然后加热所述上游区，上游区的温度为75～90℃，进行化学气相沉积反应5～40min，冷却，得到六方氮化硼二维材料。采用熔融金属表面作为二维六方氮化硼的生长基底，具有成核均匀，生长快速等优点；通过控制前驱体的加热温度，在熔融铜表面上获得高质量的形状可控的六方氮化硼晶畴。
本发明授权一种形貌可控的单层六方氮化硼生长方法在权利要求书中公布了：1.一种形貌可控的单层六方氮化硼生长方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，将金属箔作为生长基底置于支撑材料上，然后将载有金属箔的支撑材料放入化学气相沉积装置的反应区中； S2，将含有氮源和硼源的前驱体置于化学气相沉积装置的上游区，所述上游区位于所述反应区之沿载气流动方向的上游方向； 步骤S2中具体操作为，取前驱体置于石英舟中，将载有前驱体的石英舟放置于上游区中，所述上游区距离金属箔中心30-40cm； S3，通入载气，加热反应区，直至金属箔呈完全熔融状态，然后加热所述上游区，上游区的温度为75～90℃，进行化学气相沉积反应5～20min，冷却，得到六方氮化硼二维材料； 步骤S3中，所述载气为氩气和氢气组成的混合气体，所述氩气的流速为180-220sccm，所述氢气的流速为18-22sccm。
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