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龙图腾网获悉武汉飞恩微电子有限公司申请的专利一种集成芯片、厚膜压力传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112857635B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110095679.7，技术领域涉及：G01L1/22；该发明授权一种集成芯片、厚膜压力传感器及其制造方法是由王小平;曹万;李凡亮;吴登峰;李兵设计研发完成，并于2021-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成芯片、厚膜压力传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种集成芯片、厚膜压力传感器及其制造方法，该用于厚膜压力传感器的集成芯片包括弹性金属膜片以及导电电路，弹性金属膜片具有用于感压的变形区及与所述变形区连接的连接区，导电电路包括若干个压敏电阻和热敏电阻，所述若干个压敏电阻设于所述弹性金属膜片的上表面且设于在所述变形区，所述热敏电阻设于所述弹性金属膜片的上表面且设于所述连接区。

本发明授权一种集成芯片、厚膜压力传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于厚膜压力传感器的集成芯片，其特征在于，包括： 弹性金属膜片，具有用于感压的变形区及与所述变形区连接的连接区； 导电电路，包括若干个压敏电阻和热敏电阻，所述若干个压敏电阻设于所述弹性金属膜片的上表面且设于在所述变形区，所述热敏电阻设于所述弹性金属膜片的上表面且设于所述连接区； 所述弹性金属膜片的厚度根据压力量程和受力分析确定，确定过程如下： 1对于弹性金属膜片的小变形受力分析 根据小变形理论，弹性金属膜片在施加压力的条件下，弹性金属膜片的最大位移不超过弹性金属膜片厚度的30％，即： y0≤0.3h；1 在均布压力P的作用下，圆形的弹性金属膜片的位移如下： 与受压膜片的位移变化一样，金属膜片内部的应力分布也随膜片的厚度h和距离膜片中心的距离r变化而变化；在给定的距离r上，膜片的一面受到张应力，另一面受到压应力；同时膜片内部存在两种应力，即径向应力σr及其最大值σrmax为： 当径向应力为零时： r＝a1+v3+v12；5切向应力σt和径向应力σr： 距膜片中心距离为r的切向应力σt及其最大值σtmax为： 2弹性金属膜片的位移与压力的关系 当弹性金属膜片在压力作用P下的最大位移大于弹性金属膜片的厚度的30％，假设弹性金属膜片仍处于弹性范围内，则关于压力P与弹性金属膜片位移y的关系式如下：

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