索尼半导体解决方案公司荒井英树获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利成像元件和测距模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115004686B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180010576.4，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权成像元件和测距模块是由荒井英树;大竹悠介;村濑拓郎;山崎武设计研发完成，并于2021-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本成像元件和测距模块在说明书摘要公布了：本技术涉及能够减少寄生电容的成像元件和测距模块。本发明的测距模块包括：第一布线，将第一相邻像素中的预定晶体管彼此连接以及连接形成在第一相邻像素的一个像素中的通孔并且连接至形成在另一层中的布线；以及第二布线，将第二相邻像素中的预定晶体管彼此连接以及连接形成在与第二相邻像素中的一个像素相邻的像素中并且连接到形成在另一层中的布线的通孔，其中第一布线连接到冗长布线。例如，本技术可应用于执行距离测量的测距传感器。
本发明授权成像元件和测距模块在权利要求书中公布了：1.一种成像元件，包括： 相移电路，生成相移驱动脉冲信号，所述相移驱动脉冲信号是通过在一个帧周期中以时分方式将与发光控制信号对应生成的驱动脉冲信号偏移至多个相位而获得的，所述发光控制信号表示发光源的照射定时； 像素，用于基于所述相移驱动脉冲信号累积通过反射光的光电转换而获得的电荷，并且根据所累积的电荷输出检测信号，所述反射光是通过预定物体反射从所述发光源发射的光而获得的， 第一布线，将第一相邻像素中的预定晶体管连接至形成在所述第一相邻像素中的一个像素中的通孔并且连接至形成在另一层中的布线；和 第二布线，将第二相邻像素中的预定晶体管连接至形成在与所述第二相邻像素中的一个像素相邻的像素中的通孔并且连接至形成在另一层中的布线； 其中，所述第一布线连接至用于调整寄生电容的冗长布线，所述冗长布线添加在预定布线上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人索尼半导体解决方案公司，其通讯地址为：日本神奈川；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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