浜松光子学株式会社平光纯获国家专利权
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龙图腾网获悉浜松光子学株式会社申请的专利光传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115516636B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180033487.1，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权光传感器是由平光纯;间瀬光人;岛田明洋;石井博明;伊藤聪典;田中祐马设计研发完成，并于2021-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本光传感器在说明书摘要公布了：光传感器包括：具有分别呈层状形成的第1导电型的第1倍增区域和第2导电型的第2倍增区域的雪崩倍增区域；当将在第1倍增区域和第2倍增区域的厚度方向上第2倍增区域相对于第1倍增区域所在的一侧作为第1侧时，相对于第2倍增区域配置在第1侧的第2导电型的电荷收集区域；和相对于第2倍增区域配置在第1侧的第1导电型的第1导电型区域。第2倍增区域具有在厚度方向上与电荷收集区域重叠的第1部分和在厚度方向上与第1导电型区域重叠的第2部分。第1部分的杂质的浓度高于第2部分的杂质的浓度。
本发明授权光传感器在权利要求书中公布了：1.一种光传感器，其中， 具备： 具有分别呈层状形成的第1导电型的第1倍增区域和第2导电型的第2倍增区域的雪崩倍增区域； 当将在所述第1倍增区域和所述第2倍增区域的厚度方向上所述第2倍增区域相对于所述第1倍增区域所在的一侧作为第1侧时，相对于所述第2倍增区域配置在所述第1侧的第2导电型的电荷收集区域；和 相对于所述第2倍增区域配置在所述第1侧的第1导电型的第1导电型区域， 所述第2倍增区域具有在所述厚度方向上与所述电荷收集区域重叠的第1部分和在所述厚度方向上与所述第1导电型区域重叠的第2部分， 所述第1部分的杂质的浓度高于所述第2部分的杂质的浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浜松光子学株式会社，其通讯地址为：日本静冈县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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