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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利氮化镓功率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116569339B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080107570.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权氮化镓功率晶体管是由吉尔伯托·库拉托拉设计研发完成，并于2020-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化镓功率晶体管在说明书摘要公布了：本发明涉及一种氮化镓GalliumNitride，GaN功率晶体管100，包括：缓冲层110；阻挡层111，沉积在所述缓冲层110上，其中，栅极区112形成于所述阻挡层111的顶部；p型掺杂氮化镓GalliumNitride，GaN层113，沉积在所述栅极区112处的所述阻挡层111上；金属栅极层114，沉积在所述p型掺杂GaN层113的顶部，其中，所述金属栅极层114与所述p型掺杂GaN层113接触以形成肖特基势垒115；其中，所述p型掺杂GaN层113的厚度、所述金属栅极层114的金属类型和所述p型掺杂GaN层113的p型掺杂浓度基于pGaN肖特基栅极耗尽区厚度相对于p型掺杂浓度和栅极金属类型的已知关系。

本发明授权氮化镓功率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓功率晶体管100，其特征在于，包括： 缓冲层110； 阻挡层111，沉积在所述缓冲层110上，其中，栅极区112形成于所述阻挡层111的顶部； p型掺杂氮化镓层113，沉积在所述栅极区112处的所述阻挡层111上； 金属栅极层114，沉积在所述p型掺杂GaN层113的顶部，其中，所述金属栅极层114与所述p型掺杂GaN层113接触以形成肖特基势垒115； 其中，所述p型掺杂GaN层113的厚度、所述金属栅极层114的金属类型和所述p型掺杂GaN层113的p型掺杂浓度基于pGaN肖特基栅极耗尽区厚度401相对于p型掺杂浓度402和栅极金属类型的已知关系400； 所述p型掺杂GaN层113的厚度小于65纳米； 所述金属栅极层114由下列金属中的一种制成：Al、Ti、TiN、Au、Pd、Ni、W或其以堆叠方式形成的任意组合； 所述p型掺杂GaN层113的p型掺杂浓度位于1e18cm-3至1e19cm-3范围内。

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