珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司何林飞获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司申请的专利电路版图检测方法、装置、设备和介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114386357B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011115693.0,技术领域涉及:G06F30/392;该发明授权电路版图检测方法、装置、设备和介质是由何林飞;马颖江;易冬柏;杨卫平;李耿民;黄蝶设计研发完成,并于2020-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本电路版图检测方法、装置、设备和介质在说明书摘要公布了:本申请实施例公开一种电路版图检测方法、装置、设备和介质,用于解决相关技术中风险点检测效率低下的问题。本申请实施例中,对同类型场氧之间的距离进行识别分析,当距离较小且未注入不同类型的场氧时,容易导致产生寄生三极管导致芯片可靠性下降。故此,本申请实施例对同类型场氧之间的距离进行检测并识别是否存在不同类型场氧,从而定位出风险点,能够自动排除无风险地方,并自动检测出风险点供工程师进一步校验,以此来提高检测效率。
本发明授权电路版图检测方法、装置、设备和介质在权利要求书中公布了:1.一种电路版图检测方法,其特征在于,所述方法包括: 获取目标电路版图; 从所述目标电路版图中提取出以下图层:由所有场氧和N型注入场氧进行逻辑与操作得到的第一图层NPOD、由所有场氧和P型注入场氧进行逻辑与操作得到的第二图层PPOD、由与存储功能区域的所有场氧OD_RAM金属连接的器件层减去所有场氧得到的第三图层OD_DMY、由包含在具有存储功能标签RAM区域内的所有场氧构成的第四图层OD_RAM、由所述第一图层减去N阱之后并减去高压阱得到的第五图层NOD; 由所述NOD减去所述OD_DMY得到N型场氧层NOD_CHECK; 由所述N阱和所述高压阱的合集与所述PPOD的交集组成的第六图层POD; 由所述POD减去所述OD_DMY得到的P型场氧层POD_CHECK; 其中,目标场氧层包括所述NOD_CHECK和所述POD_CHECK; 从所述目标场氧层中识别出多个场氧的相对位置关系; 根据所述相对位置关系,当识别出任何两同类型场氧之间的距离小于预设距离且所述两同类型场氧之间未注入异型场氧时,输出所述两同类型场氧存在寄生三极管的提示信息。
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