三星电子株式会社文锦妃获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利形成材料膜的方法、集成电路器件和制造其的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113013083B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011020787.X，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权形成材料膜的方法、集成电路器件和制造其的方法是由文锦妃;金镇用;李准原;黄光台;金益秀;任智芸设计研发完成，并于2020-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成材料膜的方法、集成电路器件和制造其的方法在说明书摘要公布了：本申请提供了形成材料膜的方法、集成电路器件和制造集成电路器件的方法。为了制造集成电路IC器件，制备了具有限定沟槽的台阶结构的下结构。在沟槽内部形成材料膜。为了形成材料膜，将包括第一中心元素和具有第一尺寸的第一配体的第一前体供应到下结构上，以在下结构上形成第一前体的第一化学吸附层。将包括第二中心元素和具有小于第一尺寸的第二尺寸的第二配体的第二前体供应到包括第一化学吸附层的所得结构上，以在下结构上形成第二前体的第二化学吸附层。将反应气体供应到第一化学吸附层和第二化学吸附层。
本发明授权形成材料膜的方法、集成电路器件和制造其的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成材料膜的方法，所述方法包括以下步骤： 将包括第一中心元素和具有第一尺寸的第一配体的第一前体供应到形成有沟槽的下结构上，并且在下结构上形成第一前体的第一化学吸附层； 将包括第二中心元素和具有第二尺寸的第二配体的第二前体供应到其中形成有第一化学吸附层的所得结构上，并且在下结构上形成第二前体的第二化学吸附层，其中，第二尺寸小于第一尺寸；以及 通过将反应气体供应到第一化学吸附层和第二化学吸附层，以从下结构去除第一配体和第二配体来形成包括第一中心元素和第二中心元素的材料膜， 其中，第一中心元素和第二中心元素中的每个是硅、硼或金属。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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