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株洲中车时代半导体有限公司李道会获国家专利权

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龙图腾网获悉株洲中车时代半导体有限公司申请的专利氮化镓宽禁带功率模块封装结构及封装方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114121915B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010900712.4,技术领域涉及:H10D80/20;该发明授权氮化镓宽禁带功率模块封装结构及封装方法是由李道会;谭琨;李想;马特·帕克伍德;王彦刚;罗海辉;刘国友设计研发完成,并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

氮化镓宽禁带功率模块封装结构及封装方法在说明书摘要公布了:本发明提供氮化镓宽禁带功率模块封装结构,包括:封装基板、封装管壳和氮化镓宽禁带功率模块;封装管壳的边框围设封装基板,形成容纳槽;功率模块设置在容纳槽内,形成低电感对称换流及控制电路结构;氮化镓宽禁带功率模块包括具有金属层的衬板和对称键合在金属层上的至少两个氮化镓芯片组、多个弹簧插针、对称型母排功率端子、多个电容以及设置在衬板上方的驱动控制板;衬板键合在基板上;氮化镓芯片组对称键合在金属层中部;多个弹簧插针设置在氮化镓芯片组的两侧;每个氮化镓芯片组均与对称型母排功率端子和弹簧插针连接通过金属层连接;与驱动控制板通过弹簧插针电连接;多个电容对称地键合在金属层的两个周向边缘侧,以形成低电感功率回路。

本发明授权氮化镓宽禁带功率模块封装结构及封装方法在权利要求书中公布了:1.一种氮化镓宽禁带功率模块封装结构,其特征在于,包括:封装基板、封装管壳和氮化镓宽禁带功率模块;所述封装管壳的边框围设所述封装基板,形成容纳槽;所述氮化镓宽禁带功率模块设置在所述容纳槽内,用于形成低电感对称换流及控制电路结构; 所述氮化镓宽禁带功率模块包括具有金属层的衬板和对称地键合在金属层上的至少两个氮化镓芯片组、多个弹簧插针、对称型母排功率端子、多个电容以及设置在所述衬板上方的驱动控制板;所述衬板键合在所述封装基板上;至少两个氮化镓芯片组分别对称键合在所述金属层中部;多个所述弹簧插针设置在所述氮化镓芯片组的两侧;每个氮化镓芯片组均与对称型母排功率端子和弹簧插针通过金属层连接;每个氮化镓芯片组均与所述驱动控制板通过所述弹簧插针实现电气连接,以形成缓冲电路;所述多个电容对称地键合在所述金属层的两个周向边缘侧,以形成低电感功率回路;所述对称型母排功率端子的顶部设置在所述封装管壳上方并外延伸出所述封装管壳; 所述对称型母排功率端子包括相对设置在所述衬板两端的直流母排功率端子和交流母排功率端子;所述直流母排功率端子包括正直流母排功率端子和负直流母排功率端子,所述负直流母排功率端子的中部与所述正直流母排功率端子的中部相配合呈重叠耦合结构,以使所述直流母排功率端子导通不同方向电流时降低杂散电感,直流母排功率端子包括连接部和对称设置在所述连接部的两侧的两个主体,负直流母排功率端子包括依次垂直连接的外部主电流连接部、负直流第一弯折部、负直流第二弯折部、负直流第三弯折部和负直流底部引脚;负直流第二弯折部与所述连接部相配合呈重叠耦合结构;交流母排功率端子包括依次垂直连接的交流连接部、交流弯折部和两个反向对称设置的交流底部引脚;第二交流弯折部的中部和边缘分别开设弹簧插针避让槽组,均包括两个对称设置的开槽结构,以形成低干扰的电流,驱动控制板远离所述衬板的表面设置多个电阻和电容的串联组合;多个串联组合分别与氮化镓芯片组中的多个芯片一一并联设置;多个串联组合的正极和负极与多个芯片的漏极和源极分别通过弹簧插针连接,形成RCSnubber缓冲电路,以降低氮化镓芯片组的电磁干扰;金属层包括设置在所述氮化镓芯片组的同一侧的第一金属层区域和第二金属层区域;所述第一金属层区域和第二金属层区域相对且间隔设置;所述第一金属层区域包括长条形主体区域和自长条形主体区域的两端向第二金属层区域延伸的两个膨大端部;所述氮化镓芯片组的栅极与两个膨大端部连接,所述膨大端部与驱动控制板通过设置在长条形主体区域中部的弹簧插针连接;所述第二金属层区域呈长条形,所述氮化镓芯片组的源极与第二金属层区域沿长度方向的两端连接,所述第二金属层区域与驱动控制板通过设置在长条形主体区域中部的弹簧插针连接,以形成对氮化镓芯片组的KelvinContact控制回路,金属层区域还包括四个第三金属层区域,分别对称设置在两个膨大端部的两侧;所述膨大端部与所述第三金属层区域之间设置磁珠。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人株洲中车时代半导体有限公司,其通讯地址为:412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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