合肥睿科微电子有限公司二宫健生获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉合肥睿科微电子有限公司申请的专利具有防止存储器件内形成空洞的改进式存储器单元结构的存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114365299B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080017725.5，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权具有防止存储器件内形成空洞的改进式存储器单元结构的存储器件是由二宫健生设计研发完成，并于2020-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有防止存储器件内形成空洞的改进式存储器单元结构的存储器件在说明书摘要公布了：一种存储器件包括存储器单元，该存储器单元包括底电极，顶电极以及设于所述底电极和所述顶电极之间的介电层。所述底电极具有第一宽度W1。所述顶电极具有顶面，该顶面具有介于该顶面的两边缘之间的第二宽度W2。所述存储器单元具有从所述底电极的底面延伸至所述顶电极的顶面的第一高度H1。所述存储器件还包括与所述顶电极连接的顶部接触导线。该顶部接触导线具有宽度为第三宽度W3的顶面、处于两个相邻存储器单元之间的第二高度H2以及延伸于所述顶部接触导线的顶面与所述绝缘层之间的第三高度H3，其中，W1W3W2，而且H2H1H3。
本发明授权具有防止存储器件内形成空洞的改进式存储器单元结构的存储器件在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，其特征在于，包括： 存储器单元，所述存储器单元包括底电极，顶电极以及设置于所述底电极和所述顶电极之间的介电层，其中： 所述底电极具有第一宽度W1； 所述顶电极具有顶面，其中，所示顶面具有介于所述顶面的两边缘之间的第二宽度W2；以及 所述存储器单元具有从所述底电极的底面延伸至所述顶电极的所述顶面的第一高度H1； 覆盖所述存储器单元的侧面的绝缘层；以及 经所述绝缘层内的开孔与所述顶电极连接的顶部接触导线，其中，所述顶部接触导线具有为第三宽度W3的顶面、处于两个相邻的所述存储器单元之间的第二高度H2以及延伸于所述顶部接触导线的所述顶面与所述绝缘层之间的第三高度H3， 其中，各所述宽度和各所述高度满足如下条件：W1W3W2以及H2H1H3， 其中，所述介电层为电阻性金属氧化物，所述顶电极的厚度至少为所述介电层的厚度的两倍。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥睿科微电子有限公司，其通讯地址为：230088 安徽省合肥市合肥市高新区创新产业园二期F4栋11楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号