长沙智汇芯智能科技有限公司龚晟获国家专利权
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龙图腾网获悉长沙智汇芯智能科技有限公司申请的专利一种谐振驱动电路及其运行方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111654192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010411656.8,技术领域涉及:H02M3/335;该发明授权一种谐振驱动电路及其运行方法是由龚晟;吴定祥设计研发完成,并于2020-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种谐振驱动电路及其运行方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种谐振驱动电路,包括正负向矩形波电源、非线性谐振电感、初级绕组、次级绕组、开关管MOS,所述正负向矩形波电源、非线性谐振电感和初级绕组串联连接,所述次级绕组一端与开关管MOS的门级连接,所述次级绕组另一端与开关管MOS的源极连接,所述初级绕组和次级绕组绕在同一个磁芯上构成变压器,本发明的有益效果在于:改进了传统正弦波谐振式驱动,因为谐振驱动,大部分的驱动能量回送电源,所以驱动效率高;同时由于谐振电流在一个谐振周期中大部分时间电流很低,使得驱动电路的导通损耗小;并且在电感饱和时谐振频率很高,使得驱动电压上升速率比传统正弦波谐振驱动快,提高了有效占空比,从而提高功率变换器效率。
本发明授权一种谐振驱动电路及其运行方法在权利要求书中公布了:1.一种谐振驱动电路及其运行方法,其特征在于:谐振驱动电路包括正负向矩形波电源、非线性谐振电感、初级绕组、次级绕组、开关管MOS,所述正负向矩形波电源、非线性谐振电感和初级绕组串联连接,所述次级绕组一端与开关管MOS的门级连接,所述次级绕组另一端与开关管MOS的源极连接,所述初级绕组和次级绕组绕在同一个磁芯上构成变压器; 所述正负向矩形波电源通过全桥拓扑、半桥拓扑、推挽拓扑或有源钳位正激拓扑实现,所述正负向矩形波电源的正负向矩形波占空比为固定占空比或可调占空比; 所述非线性谐振电感为快速饱和电感,所述非线性谐振电感的饱和电流小于1.571A,饱和前典型电感量是饱和后典型电感量的2.718倍或2.718倍以上; 所述开关管MOS的驱动电压为谐振波形组成的近似正负向方波; 谐振驱动电路的运行方法为:电压源输出为正负向方波,提供谐振能量,非线性电感饱和电流低,当达到饱和电流时,电感感量迅速降低并与开关管MOS的电容Ciss及电路的线路分布电容谐振,此谐振频率高,使得开关管MOS栅极电压快速上升至开通,构成开关管MOS开通的上升沿;当电感谐振电流降低至饱和电流以下时,非线性电感退出饱和,电感量恢复到一定值,继续与开关管MOS的电容Ciss及线路分布电容谐振,此时谐振频率低,驱动回路电流小,构成开关管MOS开通的时间;当谐振电流反向达到电感饱和电流值时,电感感量迅速降低并与开关管MOS的电容Ciss及线路分布电容谐振,此谐振频率高,使得开关管MOS栅极电压快速下降至关断,构成开关管MOS关断的下降沿。
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